第二章双极型晶体二极管及基本放大电路课件.pptVIP

第二章 双极型晶体二极管及基本放大电路 双极型晶体三极管 放大器的工作原理 放大电路的分析方法 共集放大电路 共基放大电路 极间耦合方式   半导体三极管有两大类型: 双极型半导体三极管 场效应半导体三极管 一.晶体三极管的工作原理 （一） 晶体三极管的结构 （二） 晶体三极管内部载流子传输过程 （三） 晶体三极管的电流关系 （四） 晶体三极管的特性曲线 （五） 晶体三极管的参数 （六） 晶体三极管的型号 （一） 晶体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图02.01所示。 分两种类型:NPN型和PNP型： 1.符号：双极型三极管的符号如图: 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 （二）.三极管内部载流子的传输过程 1.三极管具有放大功能的条件： 必须满足： (1).内部条件: 发射区浓度高，基区浓度低且薄。 (2).外部条件:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 (1).由于发射结正偏，将有大量的电子从发射基区扩散，形成的电流为IEN。 (3). 电子流在基区停留时间很短，在集电结反偏电压作用下,很快进入集电结的结电场区域，被集电极收集，形成集电极电流ICN。 综上所述,可得如下电流关系式: IE= IEN＋ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ICNIBN （三）三极管共基连接电流分配关系 1. 三种组态： 三极管有三个电极，两个为输入, 两个为输出，必然有一个极是公共电极。共有三种接法也称三种组态： 2.三极管的电流放大系数 为表示集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系，定义了共基接法时的直流电流放大系数: 3.共射极连接时工作原理 若：rbe=1k?,RL=1k ?,?=100, 则 ：AU=100. 有很小的?Ui引起?Ib 明显的变化，导致 ?Ic较大的变化 ，从而引起较大的?Uo变化， 以此体现放大作用。 二. 双极型半导体三极管的特性曲线 B是输入极，C是输出极，E是公共极。所以曲线是共射极接法的特性曲线。 iB是输入电流，vBE是输入电压。 iC是输出电流，vCE是输出电压。 (3). UCE ≥1V或再增加时: 曲线的右移是三极管内部基区调制效应; 右移不明显说明基区调制效应 很弱。 输入特性曲线的分区： ①死区 ②非线性区 ③线性区 (3). UCE ≥1V或再增加时: 曲线右移不明显。 曲线的右移是三极管基区调制效应; 右移不明显说明基区调制效应很弱。 输入特性曲线的分区： ①死区 ②非线性区 ③线性区 2.输出特性曲线 (1).当UCE=0V时: 集电极无收集作用，iC=0。 VCE刚增大时，发射结虽处于正向电压下，但集电结反偏电压很小，如: UCE 1V; UBE=0.7V UCB= UCE- UBE=0.7V 集电区收集电子的能力很弱。 iC主要由UCE决定。 3. 输出特性曲线可以分为三个区域: 三. 半导体三极管的参数 .共射极直流电流放大系数 : =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ?vCE=const 共基极直流电流放大系数 : =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 集电极基极间反向饱和电流ICBO CB表示集电极和基极， O表示第三个电极E开路。 相当于集电结的反向饱和电流。 图02.09 ICEO在输出特性曲线上的位置 (2).特征频率fT (1).集电极最大允许电流ICM： ? 值下降多少，不同型 号的三极管，不同的厂 家的规定有所差别。 当IC＞ICM时，并不表 示三极管会损坏。 (2).集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗： PCM= ICUCB≈ICUCE 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。 计算时往往用UCE取代UCB。 (3).反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力，其测试时的原理电路如图02.11所示。 1.U(BR)CBO——射极开路时