1 常用半导体器件(场效应管)1课件.pptVIP

低频电子线路 0 导 言 电子电路——由若干相互联接、相互作用的基本电子电路组成的、具有特定功能的电路整体 1.1 半导体基础知识 二、本征半导体的晶体结构 四、本征半导体中载流子的浓度 1.1.3 PN结 小结 本征半导体 N型半导体 P型半导体 PN结具有单向导电性 PN结具有电容效应（一般情况下是有害的 ）。 1.2 半导体二极管 1.2.1 二极管的常见结构 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.5 稳压二极管 1.2.6 其它类型二极管 小结 二极管的伏安特性 二极管的主要参数 二极管的等效电路 稳压二极管 作业P69 ：1.3；1.5；1.7 结构： 三个区：发射区、基区、集电区； 两个结：发射结、集电结； 三个电极：发射极e 、基极b 、集电极e。 结构特点： 发射区掺杂浓度高、基区掺杂浓度低且薄； 发射结面积小、集电结面积大。 共射极放大电路举例 小结 晶体管的结构 晶体管的电流放大作用 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 P70作业：10（图中uI改成VBB），11，12 4. 输出特性曲线 可变电阻区 uDS uGS ? UGS(th) uDS?? iD ?，直到预夹断 恒流区(放大区) uDS?，iD 不变 ?uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变 夹断区 uGS ? UGS(th) 全夹断 iD = 0 iD /mA uDS /V uGS = 2 V 4 V 6 V 8 V 夹断区 可 变 电 阻 区 放大区 恒流区 O 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子在 uGS = 0 时已形成沟道；在 DS 间加正电压时形成 iD， uGS ? UGS(off) 时，全夹断。 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET 输出特性 uGS /V iD /mA 转移特性 IDSS UGS(off) 夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS ? UGS(off) 时， uDS /V iD /mA uGS = ? 4 V ? 2 V 0 V 2 V O O 三、P 沟道 MOSFET 增强型 耗尽型 S G D B S G D B N 沟道增强型 S G D B iD P 沟道增强型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /V iD /mA UGS(th) S G D B iD N 沟道耗尽型 iD S G D B P 沟道耗尽型 UGS(off) IDSS uGS /V iD /mA – 5 O 5 FET 符号、特性的比较 O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V –2 V uGS = 2 V 0 V – 2 V – 5 V N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /V iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /V iD /mA 5 V 2 V 0 V uGS = 0 V – 2 V – 5 V 耗尽型MOS管 结型场效应管 三、晶体管的共射电流放大系数 整理可得： ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 1、共射直流电流放大系数 2、共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 IE =IC+IB 3、共基直流电流放大系数 或 4、共基交流电流放大系数 　　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，? 与 ， ? 与 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 5. ?与?的关系　 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 + - b c e RL 1k? 共射极放大电路 VBB VCC VBE IB IE IC + - ?vI +?vBE ?vO + - +?iC +?iE +?iB ?vI = 20mV 设 若 则 电压放大倍数 ?iB = 20 uA ?vO = -?iC? RL = -0.98 V， ? = 0.98 使 半导体器件型号命名方法 半导体器件的型号由5个部分组成： 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 1）第1部分：用数字表示器件的电极数目，2和3分别表示二、三极管； 2）第2部分：用字母表示器件的材料和极性； A：PNP型，锗材料；B：NPN型，锗材料； C：PNP型，硅材料；D：NPN型，硅材料；E：化合物材料 3）第3部分：用字母表示器件的类型； X：低频小