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Z-半导体敏感元件原理和应用 二
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论文范文
题目:Z-半导体敏感元件原理与应用 二
编辑:小小
2.光电计数器 表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图 ? ?
图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级,供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥,其中,V2避光,V1受光,且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下,无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时,D1输出一个负脉冲,D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时,因D1两个输入端等电位同步变化,不致产生误动作。 光敏Z-元件还有更多的场合能够应用,这里不一一例举。 七、 磁敏Z-元件及其技术参数 1.磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法 磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意,图9(b)是电路符号,“+”表示正向使用时接电源“+”端,M表示对磁场敏感。 表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数
名称
符号
阈值电压分档代号
单位
测试条件(T=20°C)
10
20
30
31
阈值电压
Vth
10-20
20-30
V
RL:5~150kW
阈值磁场
Bth
1
???? ?
mT
RL:5~150kW
2
阈值电流
Ith
£2
£3
mA
RL:5kW
磁场范围
B
1
(1~1.5)Bth
mT
RL:5~150kW
2
频率范围
f
1~100
kHz
RL:5kW
输出幅值
VP.P
3Vth/6
V
RL:5~150kW
频率灵敏度
SF
Hz/mT
RL:5~150kW
电压灵敏度
ST
?????? ?
mV/100mT
EVth+RL.Ith
磁敏Z-元件的命名方法有两种: 国内命名法 国际命名法 2.磁敏Z-元件的伏安特性曲线 磁敏Z-元件的伏安特性,应当在无磁场的情况下进行测量,图9(c)是伏安特性测量电路,正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同。 图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区,记为M1,pf段为负阻区,记为M2,fm为低阻区,记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压,表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流,是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压,是M3区电压的最小值。If叫做导通电流,是对应Vf的电流,是低阻区电流最小值。反向特性无磁敏。 3.磁敏Z-元件的分档代号与技术参数 磁敏Z-元件的技术参数列于表3,磁敏Z-元件的分档代号有两个,一个是Vth,共分四档;另一个是阈值磁场,共
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