材料分析方法复习资料.doc

贵州大学材料分析方法知识总结 一、名词解释（下划线为重点） X射线谱：X射线强度随波长变化的关系曲线 连续X射线谱：X射线谱中，强度随波长连续变化的部分 短波限：不同管压下，连续谱在短波方向都有一个突然截止的波长极限值，称为短波限，用λ0表示。 不同管压下，连续谱在短波方向都有一个突然截止的波长极限值，称为短波限，用λ0表示。 特征谱：当U管超过某临界值后，叠加在连续谱上的强度很高且具有一定波长的X射线谱，称为特征X射线谱，简称特征谱 K系激发：K层电子被击出的过程叫K系激发，随之的电子跃迁所引起的辐射叫K系辐射（辐射出特征X射线）。 K系的吸收限：指χ射线通过物质时光子的能量大于或等于使物质原子激发的能量，如入射光子的能量必须等于或大于将K电子从无穷远移至K层时所作的功W，称此时的光子波长λ为K系的吸收限 激发电压—激发靶材辐射出某特征X射线所需的管电压的临界值，称为该靶面物质的该系激发电压。按被激发系列标以UK、UL、 UM …等 。 相干散射：当χ射线通过物质时，物质原子的电子在电磁场的作用下将产生受迫振动，受迫振动产生交变电磁场，其频率与入射线的频率相同，这种由于散射线与入射线的波长和频率一致，位相固定，在相同方向上各散射波符合相干条件 非相干散射：散射X射线的波长随散射方向不同而改变，分布于各个方向的散射线，波长各不相等，不能产生干涉现象。这种散射称为非相干散射。 光电效应：物质在光子作用下发射电子的现象，称为光电效应； 光电子：光电效应中，发射出来的电子称为光电子； （光电子是X射线光电子能谱仪的检测信号） 荧光辐射：由X射线光子激发原子辐射出次级特征X射线的现象，称为荧光辐射。 荧光X射线：由X射线光子激发原子所辐射出的次级特征X射线称为荧光X射线(或二次特征X射线)。 激发限：λK—激发物质产生K系荧光辐射，入射X射线须具有的临界波长值，称为激发限。 俄歇效应：原子的内层电子被激发或电离后，随之发生的一个空位被两个空位所代替的现象称为俄歇效应。 俄歇电子：电子跃迁释放的能量被电子吸收而激发出原子的电子称为俄歇电子 吸收限：在μm～λ关系曲线中，质量吸收系数随着入射X射线波长的变化产生突变，突变处对应的波长称为吸收限。 倒易点阵：倒易点阵是由晶体点阵（正点阵）按一定对应关系建立的与其相联系的另外一个假想空间点阵，变换得到的点阵的许多性质与晶体正点阵保持着倒易关系，故称为倒易点阵 倒易结点：倒易点阵中的阵点称为倒易结点。 倒易矢量：在倒易点阵中,从倒易原点到任一倒易点的矢量称倒易矢量。用gHKL表示。 衍射矢量：如图，N为(HKL)衍射面的法线，入射X射线方向的单位矢量为S0，衍射线方向的单位矢量为S，称S-S0 系统消光：原子在晶胞中的位置不同或原子种类不同而引起的某些方向上的衍射线消失的现象。 结构因子：定量表征原子排布以及原子种类对衍射强度影响规律的参数。 多重性因子：同一{hkl}晶面族中等同晶面的个数称为影响衍射强度的多重性因子，用P表示。 物相分析:是关于材料中的物相组成及其含量的分析方法。 球差（球面像差）: 电磁透镜近轴区域磁场和远轴区域磁场对电子束的折射能力不同而产生的。 像散: 由透镜磁场的非轴对称引起的像差。 造成像散的主要原因：极靴内孔不圆、上下极靴的轴线错位、制作极靴的磁性材料的材质不均以及极靴孔周围的局部污染等都会引起透镜的磁场产生椭圆度。 色差:由于成像电子的能量不同或变化，从而在透镜磁场中运动轨迹不同，以致不能聚焦在一点而形成的像差。 景深：指成像时，像平面不动（像距不变），在满足成像清晰的前提下，物平面沿透镜轴线前后可移动的距离。用Df表示 景深大的实际意义：为观察样品的微观细节提供了方便。 焦长：指物点固定不变（物距不变），在保持成像清晰的条件下，像平面沿透镜轴线可移动的距离。用DL表示。 焦长长的实际意义：为电镜的成像操作、图像的观察和照相带来了极大的方便。 衍射衬度： 荧光辐射：一个具有足够能量的χ射线光子从原子内部打出一个K电子，当外层电子来填充K空位时，将向外辐射K系χ射线，这种由χ射线光子激发原子所发生的辐射过程， 零层倒易面： 垂直于晶带轴方向，并过倒易原点的倒易平面称为零层倒易面。用(uvw)*0表示。 偏离矢量：倒易杆中心至倒易杆与厄瓦尔德球面交截点的矢量，用s表示。 s是一个倒空间的量，量纲为正空间长度的倒数。 选区衍射：在样品上选择一个感兴趣的区域，并限制其大小，得到该微区电子衍射图的方法。（也称微区衍射） 薄膜状试样:对常规透射电镜而言，样品厚度一般100～200nm,即为薄膜状试样。 弹性散射：散射过程只引起入射电子改变运动方向，而能量没有变化（或变化甚微），这种散射叫做弹性散射。 非弹性散射：散射过程不仅使入射电子改变运动方向，还发生能量变化，这种散