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模拟电子技术基础A 第3章习题的答案.ppt

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模拟电子技术基础A 第3章习题的答案

* * * * * * * * * * * * * 第3章 场效应管和基本放大在电路 一、场效应管 1.分类 结型、增强型MOS管、耗尽型MOS管; P沟道,N沟道 2. 各种场效应管的符号、特性曲线,电流控制关系及简单工作原理。 3. 转移特性表达式(iD与uGS) * * 判断N沟道结型场效应管的工作状态 UGS(off) 0 UGSUGS(off) :夹断区 UGSUGS(off) , UGDUGS(off) :恒流区 UGSUGS(off) , UGDUGS(off) :可变电阻区 * 判断MOS管的工作状态 N沟道增强型: UGS(th) 0 UGSUGS(th) :夹断区 UGSUGS(th) , UGDUGS(th) :恒流区 UGSUGS(th) , UGDUGS(th) :可变电阻区 放大电路的组成原则: (1)要有合适的静态工作点。 增强型场效应管:要有开启电压,|UGS||UGSth| 结型场效应管:PN要反向偏置。 (2)输入信号能正常引入,输出信号能够正常输出。 1、电路正常放大的条件 二、场效应管放大电路 2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 1)静态工作点的分析计算。 * 利用场效应管栅极电流为0,得到栅源电压与漏极电流之间关系式。 列出场效应管在恒流区的电流方程。 联立上述两方程,求解UGSQ和IDQ,并推算UDSQ。 注意解算后应使得管子工作在恒流区。 2. 两种基本接法电路的分析:CS、CD 2)动态性能指标的计算:微变等效电路 3-3已知某N沟道结型场效应管的UGS(off)=- 5V。下表给出四种状态下的UGS和UDS 的值,判断各状态下的管子工作在什么区。( a.恒流区 b.可变电阻区 c.截止区 ) UGS -1 -2 -2 -6 UDS 3 4 2 10 工作区 可变电阻区条件: UGD UGS(off) 恒流区(饱和区)条件: UGD UGS(off) 。 夹断区(截止区)条件: UGS UGS(off)。 1 . UGD UGS(off) 当UGS=-1V, UDS=3V时 UGD =UGS —UDS =-4V -5V =UGS(off) 所以,管子工作在可变电阻区。 2. UGD UGS(off) 当UGS=-2V, UDS=4V时 UGD = UGS —UDS =-6VUGS(off)=-5V 所以,管子工作在恒流区。 3. UGD UGS(off) 当UGS=-2V, UDS=2V时 UGD = UGS —UDS =-4V UGS(off)=-5V 所以,管子工作在可变电阻区。 4. UGS UGS(off)。 当UGS=-6V, UDS=10V时 UGS=-6V UGS(off)=-5V 所以,管子工作在截止区。 3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。 结型N沟道场效应管应该满足UGS 0。 结论:不能。 3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。 绝缘栅型N沟道耗尽型场效应管。 因为没有漏极电阻,使交流输出信号到地短路uo无法取出。 不能。 3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。 满足正常放大条件。如在输入端增加大电阻RG,可有效提高输入电阻。 能。 3-4: 判断图所示的电路能否正常放大 ,并说明原因。 图中绝缘栅型N沟道增强型的场效应管。 d)是一个自给偏压式共源放大电路,只用于耗尽型和结型场效应管。 不能。 3-7:如图所示电路。已知 UGS=-2V,场效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。 1计算ID和Rs1的值。 2.为了保证电路的正常放大,求电阻Rs2可能的最大值。 3.计算电压增益Au。 - 3-7:如图所表示的电路图。已知 UGS=-2V,场效应管子的IDSS=2mA,UGS(off)=-4V。 1.计算ID和Rs1的值。 解: 2.为了保证电路的正常放大,求电阻Rs2可能的最大值。 根据放大条件:UGD?UGS(off) UGD=UGS-UDS 解: 3.计算电压增益Au。 微变等效电路 3-8 耗尽型场效应管组成的恒流源电路如图所示,RL 变化时,iL 几乎不变IDSS=4mA,UGS(off)= -4V, 1.电流iL的值; 2.负载电阻RL的取值范围。 3-10 图所示的放大电路中,已知gm=1m

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