埋平面电阻印制电路板制造工艺探讨.docVIP

埋平面电阻印制电路板制造工艺探讨 ………?…??……………??? gt;gt;WWW.C_PC.COM.CN9 10 I一■印制电路●■I (2)蚀刻液PH值误差应控制在±0.1之间,可以通 过氨水自动添加仪和PH值控制器来实现. (3)如果待处理板上只有一面有电阻,蚀刻时的 电阻面应向下,以免蚀刻液聚集在电阻面上. (4)批量生产前,应做试板以优化蚀刻条件. (5)不要触摸和刮伤曝露的电阻层. 2.2.14清洗检查 用百倍放大镜进行检查.要求尺寸精确,线路无缩 减和增沿. 2.2l15褪膜 同前. 2.2.16测电阻 测量电阻方块值.如果方阻远远大于供应商提供的 正常阻值,且线宽无增减,则说明电阻材料被腐蚀过, 需进一步追踪. 2.2.17清洗烘干 DI水洗,热风烘干.(清洗水质导电率小于 25ms/cm,不能氧化影响电阻值.) 2.2.18目检 确保板内不含有缺陷的电阻或内层缺陷. 2.2.19层压(埋电阻) (1)层压时,不能划伤电阻元件; (2)过高的压力会导致电阻值微增. 2.3制程相关图解 涂上光致抗蚀剂 用传统传统蚀刻 掉不需的铜箔 曝光显影在光致抗 蚀剂上形成复合图 用硫酸铜溶液蚀刻 掉不需要的电阻层 WWW.ClPC.COM.CNlt;lt;……一………?一……一 _I一一印制电路■■l 去掉光致抗蚀保护层再涂上光致抗菌素蚀剂 曝光显影得导线保护图形 用碱液蚀刻掉所 需电阻上的铜箔 去掉光致搞蚀 刻形成埋电阻 3,平面电阻蚀刻槽的试制 3.1槽体及加热棒材料选择 鉴于平面电阻蚀刻的特殊性,尽量避免槽体和加热 棒对电阻蚀刻液的影响,本次平面电阻蚀刻槽的试制 时,选用了PP(聚丙烯)材料制作槽体,石英加热器进 行加热. 3.2平面电阻蚀刻用篮研制 考虑到平面电阻蚀刻的影响因素众多,此次专门设 计并定制了钛篮框架,用于搁置待蚀刻板.见下图: 图平面电阻蚀刻用篮图平面电阻蚀刻线的摇摆设置 3.3平面电阻蚀刻线的摇摆设置 考虑到平面电阻蚀刻制作的均匀程度,几经考虑, 将平面电阻蚀刻槽并线设置,并添加了水平摇摆功能. 见上图: CPCll【ll【露与蓑 - ~JgL:075~8S2S9658~.-mail:cipcBcipc.COH1.Cll 4,平面电阻蚀刻液的配制 4.1平面电阻蚀刻的主要化学反应式为: 2Cu一2e:2Cu Nj+2e:Nj 4.2蚀刻液配制: 浓CuSO4?5H2O:250g/I 浓H2S04:2mI/I 5,平面电阻制造工艺流程研究 5.I流程一(无金属化孔,湿膜制造工艺): 光绘模版一检查并修正一下料一数铣定位孔一 处理一丝印湿膜(第一次)一预烘一定位曝光一显 检查一酸性蚀刻铜一蚀刻电阻层一褪膜一清洗一刷 理一丝印湿膜(第二次)一预烘一定位曝光一显影 查一碱性蚀刻铜一清洗一检查一褪膜一数铣外形及 去毛刺一包封 5.2流程二(有金属化孔,湿膜制造工艺): 光绘模版一检查并修正一下料一数控钻孔及定 一刷板处理一等离子处理一化学沉铜一全板电镀铜 一丝印湿膜(第一次)一预烘一定位曝光一显影一 堵孔一检查一酸性蚀刻铜一蚀刻电阻层一褪膜一清 刷板处理一丝印湿膜(第二次)一预烘一定位曝光 影一湿膜堵孔一检查一碱性蚀刻铜一清洗一检查一 一 数铣外形一去毛刺一包封 5.3流程三(有金属化孔,干膜制造工艺): 光绘模版一检查并修正一下料一数控钻孔及定 一 刷板处理一等离子处理一化学沉铜一全板电镀铜 一 贴掩孔干膜(第一次)一定位曝光一显影一检查 性蚀刻铜一蚀刻电阻层一褪膜_清洗一刷板处理一 孔干膜(第二次)一定位曝光一显影一检查一碱性 铜一清洗一检查一褪膜一数铣外形一去毛刺一包封 5.4流程四(有金属化孔,电镀金制造工艺) 光绘模版一检查并修正一下料一数控钻孔及定 一刷板处理一等离子处理一化学沉铜一全板电镀铜 一 贴掩孔干膜(第一次)一定位曝光一显影一检查 性蚀刻铜一蚀刻电阻层一褪膜一清洗一刷板处理一 湿膜(第二次)一预烘一定位曝光一显影一检查一 电镀金一检测一褪膜一碱性蚀刻铜一清洗一数铣外 去毛刺一包封 ………??…………?……… gt;gt;WWWClI,C.COM.CN11 \I1.~0755-mafl:ciaclciac.朋Ⅲ.阻_矗■却荆玉】缕_■●l 6,平面电阻印制板制造工艺研究(4)部分电阻测试值:见下表1; 6印制板制工薹研究表1平面电阻印制板制造电阻值测试记录f1析料? ARl0N公司CITE04055nhmDf1n……～一..一.一0一I——I【 Foil一.5R50:设计值200400200400100200100 (2)图形:某图号板:(Q) 266554257523127206131(3)图形精度制作控制;—— a)图号1267533258534120260133