02340线性电子路_浙江省2013年7月自考_试题.doc

浙江省2013年7月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码：02340 本试卷分A、B卷，使用1999年版本教材的考生请做A卷，并将答题纸上卷别“A”涂黑；使用2010年版本教材的考生请做B卷，并将答题纸上卷别“B”涂黑。 A卷 一、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分) 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。 1．利用二极管的单向导电特性可实现______功能。 A.电压放大 B.电流放大 C.稳压 D.整流 2．在题2图所示的各种元器件中，______是无源器件。 题2图 3．晶体三极管中的α是描述______控制作用的参数。 A.发射极电流ie对集电极电流ic B.基极电流ib对发射极电流ie C.发射极电流ie对基极电流ib D.基极电流ib对集电极电流ic 4．晶体三极管的频率参数ωβ是β（ω）下降到______时所对应的角频率。 A.0.1β B.0.5β C.0.707β D.0.9β 5．晶体三极管组成的共发放大电路，当输入信号Vi增加到足够大时，可能引起的非线性失真为 A.频率失真 B.幅度失真 C.相位失真 D.截止和饱和双向失真 6．某硅晶体三极管的直流电位如题6图所示，则三极管的工作状态为 A.放大状态 B.截止状态 C.击穿状态 D.饱和状态 题6图 7．集成运放偏置电路主要为各组成级提供稳定的工作点， 一般采用______电路。 A.差分 B.恒流源 C.共集电极 D.共发射极 8．差动放大电路，已知输入信号Vi1=30mV，Vi2=10mV，则共模信号Vic和差模信号Vid分别为 A.Vic=20mV Vid=20mV B.Vic=40mV Vid=20mV C.Vic=20mV Vid=40mV D.Vic=40mV Vid=40mV 9．N沟道和P沟道MOS场效应管的区别在于 A.衬底材料前者为硅，后者为锗 B.衬底材料前者为N型，后者为P型 C.导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴 D.导电沟道中载流子前者为空穴，后者为电子 10．晶体三极管工作在放大状态时，ic与vbe之间近似为______关系。 A.对数律 B.指数律 C.线性 D.平方律 11．电路如题11图所示，其中______是基本MOS管镜像电流源电路。 题11图 12．负反馈放大器中，在满足深度负反馈条件下，存在虚短路和虚开路，即 A.x′i≈0 B.xi≈0 C.x0≈0 D.xf≈0 13．设计一负反馈放大器，实现电流——电压的变换，应引入 A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈 C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈 14．当输入信号为阶跃电压时，设计一运算电路实现延时，可选用______实现。 A.同相放大电路 B.反相放大电路 C.积分电路 D.微分电路 15．在题15图所示电路中，两个二极管的工作状态是 A.D1导通，D2截止 B.D1截止，D2导通 C.D1和D2都截止 D.D1和D2都导通 题15图 二、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分) 16．半导体中的载流子由于浓度差而产生的定向运动称为______运动。 17．当外电源正极接N区，负极接P区时，称反偏，此时PN结的结电阻通常非常______。 18．集成运放组成的比例运算电路中，______比例放大电路的放大倍数大于1。 19．直接耦合放大电路的通频带为100kHz，说明其上限截止频率为______。 20．场效应管常用跨导gm表示栅源电压vGS对______的控制能力。 21．随着温度升高，晶体管的穿透电流ICEO将______，使共发射极输出特性曲线上移。 22．负反馈放大电路的开环放大倍数为1000，而闭环放大倍数为50，则该电路的反馈深度为______。 23．差分放大电路中常用KCMR来表示抑制共模信号的能力，希望它越______越好。 24．根据vGS=0时，导电沟道是否已存在，将场效应管分为增强型和______型。 25．晶体三极管的三种基本组态放大器中，有电流增益，但无电压增益的是______电路。 三、简答题（本大题共3小题，每小题5分，共15分） 26．电路如题26(a)图所示，设二极管D为理想的，当输入电压为题26（b）所示的波形时，试用二极管的理想模型画出电压传输特性（VO~Vi）和输出电压波形(VO~t)。 题26图 27．题27图所示电流源电路，已知各晶体管特性相同，VBE（on）=0.7V，试求IR、Ic2和Ic3。 题27图