电子技术精品课程模拟电路第1章 常用半导体器 91页.ppt

（3）折线模型 4 结型场效应管特性曲线小结 1.3.3 场效应管的参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 场效应管与双极型三极管比较 1.3.4 双极型和场效应型三极管的比较 一种大功率半导体器件，出现于70年代。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域 。 体积小、重量轻、无噪声、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、耐压达数千伏）。 1.4.1 特点 1.4 晶闸管(可控硅SCR) 应用领域： 逆变 整流 （交流 直流） 斩波 （直流 交流） 变频 （交流 交流） （直流 直流） 还可作无触点开关等 基本结构 A（阳极） 四 层 半 导 体 K（阴极） G（控制极） P1 P2 N1 三 个 PN 结 N2 符号 A K G 1.4.2 工作原理 G K P1 P2 N1 N2 A P P N N N P A G K 分解 A P P N N N P G K i g ? i g ??ig K A G T2 T1 UAK 0 、UGK0时 T2导通 ib2 = i g iC2 = ?ig = ib1 ic1= ?ib1 = ??ig T1导通 形成正反馈 晶闸管迅速导通 T2进一步导通 i g ? i g ??ig K A G T2 T1 A K G 晶闸管开始工作后 ，UAK加反向电压，或不加触发信号（即UGK = 0 ）； 晶闸管导通后， UGK， 去掉 依靠正反馈， 晶闸管仍维持导通状态； 晶闸管截止的条件： （1） （2） 晶闸管正向导通后，令其截止，必须降低UAK,或加大回路电阻，使晶闸管中电流的正反馈不能维持。 1.晶闸管具有单向导电性 正向导通条件：A、K间加正向电压，G、K间加触发信号 2.晶闸管一旦导通，控制极失去作用 若使其关断，必须降低UAK或加大回路电阻，把阳极电流减小到维持电流以下。 结论 UDRM： 断态重复峰值电压。（晶闸管耐压值。 一般取 UDRM = 80% UDSM 。普通晶闸管 UDRM 为 100V---3000V） URRM：反向重复峰值电压。（控制极断路时， 可以重复作用在晶闸管上的反向重复电 压。一般取URRM = 80% URSM。普通晶 闸管URRM为100V--3000V） IF： 通态平均电流。（环境温度为40OC时,在 电阻性负载、单相工频 正弦半波、导电角不小于170o的电路中，晶闸管允许的最大通态平均电流。普通晶闸管IF 为1A---1000A。） 1.4.4 主要参数 IH：维持电流。(在室温下，控制极开路、晶闸管 被触发导通后，维持导通状态所必须的最 小电流。一般为几十到一百多毫安。） UG、IG：控制极触发电压和电流。（在室温下， 阳极电压为直流6V时，使晶闸管完全导通 所必须的最小控制极直流电压、电流 。一 般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安。） 1.4.5 单相半波可控整流电路(电阻负载) 1 电路及工作原理 设u1为 正弦波 u2 0 时，加上触发电压 uG ，晶闸管导通 。且 uL 的大小随 uG 加入的早晚而变化； u2 0 时，晶闸管不通，uL = 0 。故称可控整流。 u1 u2 uT uL A G K RL 2 工作波形 t u2 t uG t uL t uT ? ? ?：控制角 ?：导通角 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导