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电子科技大学模拟电路 期中2007年1月考前复习试卷期中.ppt

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电子科技大学模拟电路 期中2007年1月考前复习试卷期中

电子科技大学 二零零 六 至二零零 七 学年 第 一 学期 模拟电路 期 中 考试 一(14分)、问答题 1.(2分)从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面,分别简述PN结的单向导电性。 1.(2分)从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面,分别简述PN结的单向导电性。 1)从载流子的运动角度分析PN结的单向导电性:PN结正偏时,多数载流子的扩散运动形成较大的导通电流;PN结反偏时,少数载流子的漂移运动形成很小的反向饱和电流。因此,PN结具有单向导电性。 2)从PN的伏安特性方程分析PN结的单向导电性:PN结的伏安特性方程为i = Is [ exp ( v/VT ) - 1 ]。当PN结正偏时,i = Is exp ( v/VT ),随着电压v的增加而显著增大;当PN结反偏时,i≈-IS≈0。因此,PN结具有单向导电性。 2.(2分)试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 2.(2分)试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。 2、需要限流电阻的目的是保证稳压二极管工作在一定的电流范围(Izmin,Izmax)内,确保稳压管处于稳压状态,且不至于烧坏。 3.(2分)以NPN型BJT单级共射放大器为例,试简要叙述确定动态范围的过程。 3.(2分)以NPN型BJT单级共射放大器为例,试简要叙述确定动态范围的过程。 3、根据交流负载线确定最大不饱和失真电压和最大不截止失真电压,取其最小值的2倍,即是动态范围。 4.(2分)以单级稳基压偏置放大器为例,当环境温度降低时,试简要叙述稳定静态工作点的原理。 4.(2分)以单级稳基压偏置放大器为例,当环境温度降低时,试简要叙述稳定静态工作点的原理。 4、T↓→IC↓→VCE↑→Q↓ IE↓→VE↓→VBE↑→IB↑→IC↑→VCE↓→Q↑ 5.(2分)在多级电压放大器中,为什么常常采用射极跟随器(或源极跟随器)作为输出级(最末级)? 5.(2分)在多级电压放大器中,为什么常常采用射极跟随器(或源极跟随器)作为输出级(最末级)? 5、因为射极跟随器的输出电阻小,对电压放大器而言,它的带负载能力强。 6.(2分)计算放大器的电压增益时,为什么通常需要计算静态工作点? 6.(2分)计算放大器的电压增益时,为什么通常需要计算静态工作点? 6、用于获取交流小信号模型的参数(如rbe,gm,rds等),结合交流负载线,确定动态范围。 7.(2分)什么是多级放大器中的零点漂移现象? 7.(2分)什么是多级放大器中的零点漂移现象? 7、前级静态工作点的变化会被后级传递并逐级放大,使得输出端产生很大的漂移电压,这就是多级放大器中的零点漂移现象。 二(8分)电路如图所示,已知β= 100,VBE = 0.7V, VA = ∞,rbe = 5.6kΩ。 求输入电阻Ri; 求小信号源电压增益Avs = vo/vs; 求输出电阻Ro。 二(8分)电路如图所示,已知β= 100,VBE = 0.7V, VA = ∞,rbe = 5.6kΩ。 求输入电阻Ri; 求小信号源电压增益Avs = vo/vs; 求输出电阻Ro。(请同学画交流等效电路) 二(8分)电路如图所示,已知β= 100,VBE = 0.7V, VA = ∞,rbe = 5.6kΩ。 求输入电阻Ri; 求小信号源电压增益Avs = vo/vs; 求输出电阻Ro。 解: 三(8分)、 电路如图2所示,晶体管参数为:开启电压(或门限电压)VT= 1V,Kn = 1mA/V2,rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V,输入电阻Ri = 300kΩ。 设计电路参数R1、R2和RS,使IDQ = 2mA,VDSQ = 5V; 求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 4.4.2 共漏放大器--源极跟随器(P142) MOSFET共漏放大器 三(8分)、 电路如图2所示,晶体管参数为:开启电压(或门限电压)VT= 1V,Kn = 1mA/V2,rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V,输入电阻Ri = 300kΩ。 设计电路参数R1、R2和RS,使IDQ = 2mA,VDSQ = 5V; 求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 2)交流性能分析 小信号电压增益为: 输入电阻: 为了计算输出电阻,将图中小信号电压源置零,在电路的输出端施加一个测试电压vx,如图所示。然后求出相应的电流ix,则输出电阻Ro=vx/ix。 在源极输出端列写KCL方程得: 由于输入回路中无电流,因此: 所以 即 三(8分)、 电路如图2所示,

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