电子科技大学模电路 期中2006年11月A.doc

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 中 考试 模拟电路基础 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2006 年 11月 11日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60 分 一 二 三 四 五 合计 一（10分）、问答题 1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？ 2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？ 3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？ 4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？ 5．（1分）BJT的rce和MOSFET的rds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？  二（4分）、试推导BJT和MOSFET的gm的表达式，并说明：在一般情况下，为什么单级MOSFET放大电路增益不及单级BJT放大电路大？ 三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的VBE=0.7V，rbb’=0，β=200。 （1）求放大电路在中频段的输入电阻Ri和电压放大倍数Av； （2）说明电阻RE的作用。 （3）去掉电路中的电容CE后，重新计算输入电阻Ri和电压放大倍数Av。 （4）根据（1）和（3）的结果说明电容CE的作用。 图1 四（8分）、 电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）VTN = 1V，Kn = 1mA/V2，rDS = ∞。电路参数为VDD = 8V，R1=444kΩ，R2=922kΩ，RS=1.5kΩ。 计算静态工作点。 求输入电阻Ri 、小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。 图2 电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 中 考试 模拟电路基础 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 开卷 考试日期 2006 年 11月 11日 课程成绩构成：平时 10 分， 期中 30 分， 实验 0 分， 期末 60 分 参考答案及评分标准 一（10分）、问答题 1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？ 答：单向导电性。（1分） 整流电路、限幅电路、箝位电路、倍压电路、逻辑电路等。（1分） 理想开关模型或恒压降模型。（1分） 2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？ 答：后者大。 3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？ 答：(VCC-VCES)/2。（1分） 放大区的中央。（1分） 4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？ 答：交流负载线。（1分） 静态工作点靠近饱和区时，先出现饱和失真；靠近截止区时，先出现截止失真。（1分） 都会使动态范围变小。（1分） 5．（1分）BJT的rce和MOSFET的rds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？ 答：在放大区微微上翘的现象。（1分）  二（4分）、试推导BJT和MOSFET的gm的表达式，并说明：在一般情况下，为什么单级MOSFET放大电路增益不及单级BJT放大电路大？ 答：BJT的gm的推导过程（略）（1分） MOSFET的gm的推导过程（略）（1分） 因为BJT的gm与集电极电流成正比（1分），而MOSFET的gm与漏极电流的平方根成正比（1分）。 三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的VBE=0.7V，rbb’=0，β=200。 （1）求放大电路在中频段的输入电阻Ri和电压放大倍数Av； （2）说明电阻RE的作用。 （3）去掉电路中的电容CE后，重新计算输入电阻Ri和电压放大倍数Av。 （4）根据（1）和（3）的结果说明电容CE的作用。 图1 解： （1）