催化剂Ni对生长碳纳米管阵的影响.doc

本科毕业设计（） Ni对阵列的影响 年级专业 应用化学11-2 毕业设计（论文）任务书 学院：里仁学院 系级教学单位：建环系 学 号 学生 姓名 专 业 班 级 应用化学11-2 课 题 题 目 催化剂Ni对生长碳纳米管阵列的影响 来 源 自选 主要 内容 .选用Ni为催化剂化学气相沉积法生长碳纳米管阵列。的制备及预处理工艺的不同参数对生长碳纳米管阵列的影响。、仪器对结果进行表征。 基本 要求 1.查阅相关的书籍和科技期刊。 2.撰写文献综述。 3.完成实验设计内容。 参考 资料 中国知网、中国学位论文数据库、中文期刊数据库ScienceDirect期刊数据库 周 次 1—4周 5—8周 9—12周 13—16周 17—18周 应 完 成 的 内 容 查阅相关文献 实验准备及实验 分析总结补充实验 撰写论文、论文答辩 指导教师：谌岩 系级教单位审批： 说明：如计算机输入，表题黑体小三号字，内容五号字。本任务书一式二份，教师、学生各执一份。 摘要 本文使用催化剂Ni通过化学气相沉积法Si基底上成功的生长出了碳纳米管阵列CNTs）的不同制备方法预处理工艺生长CNTs的影响显微镜SEM)、AFM）等表征仪器催化剂和CNTs的形貌进行表征。Abstract In this paper, carbon nanotube arrays (CNTs) were successfully grown on Si substrates by chemical vapor deposition (Ni).The effects of different preparation methods and different pretreatment processes on the growth of CNTs were studied. The morphology of the catalyst and CNTs was characterized by SEM and AFM. Results show that successfully prepared carbon nanotube array, only in the surface of a silicon wafer catalyst is the growth of carbon nanotube arrays, by sputtering deposition thickness of catalyst in 4nm~10nm, after in the reduction with hydrogen tube furnace 400℃ to 700℃,reaching 800℃ when using ammonia gas etching 10min, the carbon nanotube morphology best. Keywords　Catalyst；Carbon nanotubes；etching；Chemical vapor deposition 目录 摘要 I Abstract II 第1章 绪论 1 1.1 课题背景 1 1.2 碳纳米管的结构、性质及应用 1 1.2.1 碳纳米管的结构 1 1.2.2 碳纳米管的性能 2 1.2.3 碳纳米管的应用 3 1.3 碳纳米管的制备 4 1.3.1 碳纳米管的制备 4 1.3.2 碳纳米管的生长机理 5 1.4 催化剂概述 6 1.4.1 金属单质 6 1.4.2 化合物 7 1.5 选题的意义及研究内容 7 第2章 实验部分 9 2.1 实验主要仪器及药品 9 2.1.1 主要仪器 9 2.1.2 主要药品 9 2.2 实验步骤 10 2.2.1 催化剂载体的制备 10 2.2.2 催化剂的预处理及生长CNTs 11 2.2.3 产物的表征 12 第3章 实验结果与讨论 13 3.1 初始催化剂形貌分析 13 3.1.1 旋涂法沉积催化剂 13 3.1.2 溅射法沉积催化剂 14 3.1.3 还原催化剂的工艺参数 15 3.2 催化剂刻蚀后形貌的分析 15 3.3 催化剂预处理工艺参数对其形貌的影响 16 3.4 碳纳米管阵列形貌的表征分析 18 3.4.1 旋涂法制备催化剂生长碳纳米管 18 3.4.2 溅射法沉积催化剂生长碳纳米管 18 3.5 本章小结 19 结论 20 参考文献 21 附录1 23 附录2 28 附录3 33 附录4 45 致谢 51 第1章 绪论 1.1 课题背景被日本的Iijima发现以来[1],独特的电学力学和化学稳