《半导体集成电路》教学日历.doc

哈 尔 滨 理 工 大 学 教 学 日 历 2011～2012学年第二学期 课程名称：微电子电路（双语） 授课班级：集成-3 ?集成-4 ? 教材及参考书籍：《微电子电路》电子工业出版社 软件学院(部)集成电路系 主讲教师：徐 瑞 系 主 任： 辅导教师： 教学院(部)长： 制订日期 2012年 3 月 1 日 教学日历制订说明： 根据教育部半导体集成电路教学的基本要求,根据集成电路专业半导体集成电路教学大纲及教学计划要求,制定本教学日历。 注：本教学日历一式四份，一份交教务处，一份交学院，一份交上课班级，一份教师自存。 月 日 时 数 讲 课 内 容 习 题 课 实验(上机) 作 业 备 注 3.9 3.14 3.16 3.23 2 2 2 2 电子学简介 信号、信号频谱、模拟信号与数字信号 放大器 放大器的电路模型 电压放大器模型 电流、跨导、跨阻放大器的模型 放大器的频率响应 1.27，1.29，1.39，1.52，1.76，1.77 3.28 3.30 4.6 4.11 2 2 2 2 第二章 运算放大器 理想运算放大器 反相组态 同相组态 差分放大器 运算放大器的大信号工作性能、直流不完整性 积分器与微分器 2.31，2.32，2.33，2.48，2.68，2.69，2.77，2.85，2.99，2.107，2.108，2.125，2.126 4.13 4.20 4.25 4.27 5.4 5.9 5.11 5.18 5.23 5.25 5.28 6.1 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 第四章 MOS场效应晶体管 器件结构与物理特性 电流-电压特性 MOSFET直流电路、作为放大器和开关的MOSFET MOS放大电路的偏置 MOS小信号工作和小信号模型 单级MOS放大器 MOSFET内部电容与高频模型 CS放大器的频率响应 4.13，4.17，4.19，4.25，4.33，4.42，4.43，4.44，4.46，4.61，4.63，4.64，4.69，4.75，4.77，4.87，4.88，4.99，4.101，4.104 月 日 时 数 讲 课 内 容 习 题 课 实验(上机) 作 业 备 注 6.6 6.8 6.11 6.15 6.20 6.22 2 2 2 2 2 2 第5章 双极型晶体管 器件结构与物理特性 电流电压特性 作为放大器的BJT BJT直流电路 BJT放大器电路的偏置 小信号工作与小信号模型 机动 实验一 同相放大器的性能SPICE仿真 实验二 741运算放大器的特性SPICE仿真 实验三 MOSFET电流-电压特性 实验四 CS放大器的频率 实验五 BJT的SPICE模型 第1页 周 数： 16周 理 论 课： 50学时 习 题 课： 0学时 实 验 课： 10学时 机 动： 0学时 总 计： 60学时 课程设计： 0周