晶体管原理与设计半导体器件答案.pptVIP

下载本文档

38
0
约1.12千字
约 42页
2018-06-23 发布于浙江
举报
版权申诉

晶体管原理与设计半导体器件答案.ppt

1、本文档共42页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

* 部分习题解答部分物理常数：第 2 章 1 、在 N 区耗尽区中，高斯定理为：取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得：当 x = xn 时，E(x) = 0，因此，于是得：（2-5a） 3 、 4 、 6 、 ND2 ND1 8、(1) (2) 20、 24、 PN 结的正向扩散电流为式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 31、当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为：当 N- 区缩短到 W = 3?m 时，雪崩击穿电压成为： 34、 39、第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体管在放大区时的能带图 2、NPN 缓变基区晶体管在放大区时的少子分布图 3、 6、 7、 8、以 NPN 管为例，当基区与发射区都是非均匀掺杂时，由式（3-33a）和式（3-33b），再根据注入效率的定义，可得： 9 、 10、 (1) (2) (3) (4) 14、 15、 20、当忽略基区中的少子复合及 ICEO 时， 27、实质上是 ICS 。 22、使 NB NC ，这样集电结耗尽区主要向集电区延伸，可使基区不易穿通。 39、为提高穿通电压 Vpt ，应当增大 WB 和 NB ，但这恰好与提高 β 相矛盾。解决方法： 48、当 IE 很大时，这时 α0 α ；当 IE 很小时，这时 α0 α ；在 IE 很小或很大时，α 都会有所下降。在正常的 IE 范围内，α 几乎不随 IE 变化，这时 β0 与 β 也有类似的关系。 58、 *