实验四-硅光电池特性测试及变换电路模板.docx

西南交通大学光电专业实验报告学号：2015114XXX姓名：XXX班级：光电X班组号：X同组人(姓名/学号)：实验名称：硅光电池特性测试及其变换电路本次实验是本学期你所做的第X个实验实验日期：2018年6月X日讲指导教师/报告箱号：实验目的：1、学习掌握硅光电池的工作原理2、学习掌握硅光电池的基本特性3、掌握硅光电池基本特性制试方法4、了解硅光电池的基本应用实验仪器：1、光电器件和光电技术综合设计平台??1台2、光源驱动模块??1个3、负载模块??1个4、光通路组件??1套5、硅光电池及封装组件1套6、2#迭插头对(红色，50cm)??10根7、2#迭插头对(黑色，50cm)??10根8、示波器??1台实验原理/实验电路图：光电三极管与光电二极管的工作原理基本相同，工作原理都是基于内光电效应，和光敏电阻的差别仅在于光线照射在半导体PN结上，PN结参与了光电转换过程。1、硅光电池的基本结构目前半导体光电探测器在数码摄像、光通信。太阳能电池等领域得到广泛应用，硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元，深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理、光电效应和光伏电池产生机理。图4-1是半导体PN结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区，当P型和N型半导体材料结合时，由于P型材料空穴多电子少，而N型材料电子多空六少，结果P型材料中的空穴向N型材料这边扩散，N型材料中的电子向P型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的P型区出现负电荷，N型区带正电荷，形成一个势垒，由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在PN结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子、呈现高阻抗。当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强，当界结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，此即为所结的单向导电性，电流方向是从P指向N。2、硅光电池的工作原理，硅光电池是一个大面积的光电二极管，它被设计用于把入时到它表面的光能转化为电能，因此，可用作光电探测器和光电池，被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。光电池的基本结构如图4-2，当半导体PN结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。流过所结两端的电流可由式1确定：式(1)中IS为饱和电流。V为PN结两端电压，T为绝对温度，IP为产生的光电流。从式中可以看到，当光电池处于零偏时，V=0，流过PN结的电流I=IP；当光电池处于反偏时(在本实验中取V=-5V)，流过PN结的电流上I=IP-IS，因此，当光电池用作光电转换器时，光电池必须处于零偏或反偏状态。光电池处于零偏或反偏状态时，产生的光电流IP与输入光功率Pi有以下关系： (2)式(2)中R为响应率，R值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长，在长波长处要求入射光子的能量大于材料的能级间隙Eg，以保证处于介带中的束缚电子得到足够的能量被激发到导带，对于硅光电池其长波截止波长为=1.1um，在短波长处也由于材料有较大吸收系数使R值很小。3、硅光电池的基本特性(1) 短路电流如图4-3所示，不同的光照作用下，毫安表若显示不同的电流值，那硅光电池短路时的电流值也不同，此即为硅光电池的短路电流特性。(2)开路电压如图4-4所示，不同的光照的作用下，电压表若显示不同的电压值。那硅光电池开路时的电压也不同，此即为硅光电池的开路电压特性。(3)光照特性光电池在不同光照度下，其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性，如图4-5所示即为硅光电池光生电流和光生电压与光照度的特性曲线。在不同的偏压的作用下，硅光电池的光照特性也有所不同。(4)伏安特性如图4-6，硅光电池输入光强度不变，负载在一定的范围内变化时，光电池的输出电压及电流随负载电阻变化关系曲线称为硅光电池的伏安特性。其特性曲线如下图4-6所示:检测电路图如下图4-7所示:(5)负载特性(输出特性)图4-7硅光电池的伏安特性测试光电池作为电池使用，如图4-8所示。在内电场作用下，入射光于由于光电效应把处于介带中的束缚电子激发到导带，而产生光伏电压，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很大时，电流较小而电压较大；当负载很小时， 电流较大而电压较小。实验时可改变 负载电阻R的值来确定硅光电池的负载特性。在线性测量中，光电池通常以电流形式使用，故短路电流与光照度(光能量)呈线性关系，是光电池的重要光照特性。实际使用时都接有负载电阻RL,输出电流IL随照度(光