18 LDMOS器件 ESD电流非均匀分布.pptxVIP

18 V LDMOS器件 ESD电流非均匀分布 的模拟和测试分析 汪　洋　周阿铖　朱科翰　金湘亮 ((湘潭大学材料与光电物理学院);论文结构;摘要;引言;1　单指器件电流分布的非均匀性分析;1.1 单指 18 V nLDMOS的二维器件仿真 用 M1、M2表示单指 18 V nLDMOS 器件的两半段 ,电阻 r 用于表示因工 艺的不平整性而造成的两段器件漏极 电阻差异。 ;1.1 单指 18 V nLDMOS的二维器件仿真 ;1.1 单指 18 V nLDMOS的TLP测试 ;2.1 多指 18 V nLDMOS二维器件的仿真测试 ;2.1 多指 18 V nLDMOS二维器件的仿真测试 ;2.2 多指 18 V nLDMOS的TLP测试 ;2.2 多指 18 V nLDMOS的TLP测试 指长为 50μm的单指、双指、四指和八指 18 V nLDMOS 的 TLP 测试曲线如左图 所示 , 它们的ESD失效电流It2分别为 1. 037A 、1. 055A、1. 937A和1.710 A。It2并非 与叉指数成正比关系增大 ,不同指数的器 件触发电压 Vt1大致相当 ,约为 46 V,器件 在维持后较快失效 ,维持阶段导通电阻不 稳定 ,曲线抖动较明显。 ;2.2 多指 18 V nLDMOS的TLP测试 将实验中 50μm、90μm、120μm、150μm多指器件测得的电流泄放能力列于表 1。由下表 可知 , 120μm、150μm八指器件的 It2相对四指器件未成倍增，加; 50μm双指器件与单指器件的 It2相当 ,四指器件It2约为单指器件的两倍 ,八指器件 It2略低于四指; 90μm双指、四指器件与单指器件的It2相当 ,八指It2 约为单指器件的两倍。测试结果表明多指 nLDMOS器件的 It2约是单指电流的一倍或两倍 ,与仿真分析 相符。因此 ,简单地增加叉 指数并不能正比例提升 ESD 防护能力 ,多指nLDMOS ESD器件的均匀触发是ESD 版图、触发电路设计中必须 考虑的关键问题。 ;总结;点评;