第1编 一般器件 (2010.03).doc

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第1编 一般器件 (2010.03)

[电子器件:2010.03.29.--2010.06.04.] *拓展 第一编 一般器件 第一章 稳压二极管 (Zener Diode) §1.1 特性参数 一、结构特性 [ UNP>6V:雪崩击穿为主。UNP<4V(E>200kV/cm):奇纳击穿为主。] (∵ W=∫F·dx ,即U=∫E·dx,∴ E=dU/dx,即E≈U/d ,d越小E越强) (∵C=εS/d = Q/U,∴高掺杂→ n↑、Q↑→ C↑、d↓,结变薄) 稳压二极管:反向击穿后可逆。(普通二极管:不可逆。) 二、主要参数 稳定电压Uz,工作电流Iz,动态电阻rg,温度系数αT,耗散功率PM等。 (参看附表1.1~1.2) §1.2 应用举例 一、稳压电路 UL↑→Iz→UR↑→UL↓ (此电路负载电流较小:IL max= IZ max- IZ min) R作用:限制ID在AB段(不是可有可无的!) [即R满足关系:(Ui min-UL)/R ≥ Iz min+ IL max,(Ui max-UL)/R ≤ Iz max + IL min ] Ui = UT + UL (a) (b) (a)UL↑→ Ub几乎不变、Ue↑→ Ube↓→ Ib↓→ Ie↓→ UL↓ (负载电流大,比单D电路约大β倍) (b)UL↑→ Ub↓、Ue↑→ Ube → Ib↓→ Ie↓→ UL↓ 二、过压保护 侧重于保护,不同于稳压。 (a) (b) (a) 过压时:UL↑→ Iz → UR↑→UL↓,即UL趋于稳定。 (b) 过压时:Ui↑ →UL↑→Ib↑→Ic↑→UR1↑→UL↓,即UL几乎不变。 (未过压时,ID≈0。) 三、电压限幅 上图:UO = Ui – UD,即输出被截去UZ ; 下图:UO = Ui – IR≈UD,即输出仅保留UZ以下。 两管组合,可构成交流限幅电路。 四、电平移动(或电平转移) 另外,稳压二极管还可用于信号选择、退耦电路、检波电路等。 * 可调稳压器TL431简介:输出电压可调。 美国TI产品,性能优良,价格低廉。 其中:VKA=2.5~36V,IKA=1~100mA,P≤1W,动态电阻=0.2Ω。 TL431的等效电路 电路符号 应用举例: 2.5V稳压电路 可调输出稳压电路 5V精密稳压电路 (分析:1、稳压过程,2、输出电压) (易知: VR↑→IC→VKA↓,与稳压二极管类似,但输出电压可调) 第二章 恒流二极管 (CRD:Current Regulating Diode or Current Regulative Diode,used for current stabilization.) §2.1 特性参数 一、结构特性 结构:CRD类于N沟道JFET,UGS=0 。 原理:U↑→ PN结变宽,沟道收窄、直至夹断 → I恒定。 CRD的结构及电路符号 CRD加正向电压的情况 (参看二极管反偏情况) CRD的伏安特性 JFET的结构及符号 (G如腰带:负偏收紧,0正导通) * CRD虽类于结型FET,但着眼于在较大电压和温度范围内使电流变化较小。 二、主要参数 恒定电流IH,动态阻抗ZH(动态电阻越大,恒流效果越好),起始电压US,击穿电压UB,温度系数CT等。 (参看附表2.1~2.2) §2.2 应用举例 一、恒流电路 (a) (b) 单管恒流电路 高精度恒流电路 (与三极管结合:提高稳定度,扩大电流) 其中,R的选取原则:限制I在恒流区 即:Umin-IH R>US,Umax-IH R<UB ; 亦即:(Umax-UB)/IH< R< (Umin-US)/IH “高精度恒流电路”恒流原理: (a):IOH↑→Ie↑→(Uz不变、Ue↑) Ube↓→Ib↓→ Ic↓、 IOH↓ (b):IOH↑→Ue↑→(Ib2↑)Ub1↓→ Ube1 →Ib1↓→ Ic1↓、IOH↓ (电压反馈分析) 或:IOH↑→Ue↑→Ib2↑(Ic2↑)→Ib1↓→IOH↓ (电流负反馈) (a) 小电流 (b) 大电流 高

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