数字电子技术第8章 半导体储存器与可编程逻辑器件.ppt

第8章 半导体存储器和 可编程逻辑器件 任务 旋转彩灯电路 半导体存储器的分类 8.1.3 可编程只读存储器（ＰROM） 8.1.4 可擦除可编程只读存储器 （EPROM、E2PROM） 8.2.3 RAM存储容量的扩展 基本结构 表示方法 8.3.2　可编程阵列逻辑(PAL) 8.3.3 可编程通用阵列逻辑器件(GAL) 1. GAL的电路结构 ＧＡＬ引脚图 时钟输入 输入端 接地端 接电源 输出宏单元 输出使能端 2. 输出逻辑宏单元(OLMC) 3. GAL的结构控制字 高电平有效 1 1脚接CLK，11脚接 低电平有效 寄存输出 0 0 1 0 高电平有效 1 1脚接CLK，11脚接 ，至少另有一个OLMC为寄存器输出模式。 低电平有效 组合和 寄存 混合输出 0 1 1 0 高电平有效 1 1和11脚为数据输入，三态门选通信号是第一乘积项，反馈信号取自I/O端。 低电平有效 反馈组合输出 （带选通） 0 1 1 1 高电平有效 1 1和11脚为数据输入，三态门被选通。 低电平有效 专用组合输出 0 0 0 1 1和11脚为数据输入，三态门禁止 输出三态门不通 专用输入方式 * 1 0 1 备注 输出极性 输出方式 XOR(n) AC1(n) AC0 SYN OLMC输出工作方式和有关控制位的关系 * * 知识目标 ? 了解ROM的特点、基本结构、分类及几种ROM的区别； ? 了解RAM的特点、基本结构、分类及两类RAM的区别和应用场合； ? 掌握存储器容量扩展方法; ? 了解各类PLD的基本结构、型号、芯片引脚、使用的一般流程。 技能目标 ? 知道各类存储器的特点及应用场合； ? 认识各类芯片的型号，知道各引脚的功能并能进行正确连接； ? 会进行存储器容量扩展的连接； ? 会用存储器组成对应的应用电路。 任务分析 用4位二进制计数器74LS161和EPROM2764 构成旋转彩灯电路 任务实现 半导体存储器是一种通用型大规模集成器件 只读存储器ROM 随机存储器RAM 按存取功能分 概述 8.1 只读存储器（ROM) 半导体存储器 RAM（随机） 双极型RAM MOS型RAM ROM（只读） 掩膜ROM (固定） PROM（可编程） EPROM（可编程可擦除） E2PROM（可编程可电擦除） 静态 动态 （ＳＲＡＭ） （ＤＲＡＭ） ROM的分类 掩膜ROM：不能改写。 PROM：只能改写一次。 EPROM：可以改写多次。 存储器的特点 RAM：在工作时既能从中读出（取出）信息，又能随时写入（存入）信息，但断电后所存信息消失。 ROM：在工作时只能从中读出信息，不能写入信息，且断电后其所存信息在仍能保持。 存储容量：存储单元的总数＝字数×位数 1k=210=1024个存储单元 8.1.1 ROM的电路结构 固定ROM的特点：使用者只能读取数据, 不能改变芯片中数据内容。 W0=1000 W1 =0110 W2 =1001 W3 =0111 8.1.2 固定ＲＯＭ ROM的简化画法 地址译码器产生了输入变量的全部最小项 存储体实现了有关最小项的或运算 与阵列固定 或阵列可编程 两种PROM存储单元 PROM存储单元的结构 写入0，烧断溶丝 写入1，击穿二极管 可编程只读存储器PROM的特点：一次可编程 ● EPROM：可擦除可编程ROM ● E2PROM: 电可擦除可编程ROM 紫外线可擦除EPROM （1）特点：采用紫外线照射擦除数据；采用电的方法写入数据 （2）芯片介绍 接地 地址线 数据线 接电源 编程电源 片选信号 片选信号/编程脉冲输入 电可擦除E2PROM （1）特点：写入和擦除数据均采用电信号；可以整片擦除、写入，也可以字节为单位擦除、写入。 （2）芯片介绍 地址线 数据线 接地 接电源 写允许信号/编程电源 读选通 片选信号 RAM是由许许多多的基本寄存器组合起来构成的大规模集成电路。RAM中的每个寄存器称为一个字，寄存器中的每一位称为一个存储单元。寄存器的个数（字数）与寄存器中存储单元个数（位数）的乘积，叫做RAM的容量。按照RAM中寄存器位数的不同，RAM有多字1位和多字多位两种结构形式。在多字1位结构中，每个寄存器都只有1位，例如一个容量为1024×1位的RAM，就是一个有1024个1位寄存器的RAM。多字多位结构中，每个寄存器都有多位，例如一个容量为256×4位的RAM，就是一个有256个4位寄存器的RAM。 8.2 随机存取存储器（RAM