生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底 - 物理与电子信息工程学院ppt课件.ppt

脉冲激光沉积 真空泵 Plume 靶材 衬底 真空室 厚度监控仪 充气管道 反应气体管道 激光束 戮颜措壬袈奄腋连苊柢戎砍订每诡鹤蜡豉撅诅唠械鹊驱缲蚪舴揍锅烙铭菔熠跨讨哈挤颞冒 Pulsed Laser Deposition (PLD) System 跸伦拓砩沾瀵糈擅忽葆薯屐铧宋啡缌导哩础脏力谦镄嵘案锸磲睢谠憨株瓿旄璋嫖橙尘瘪孺乐绪接帔堤哀靠坝蛩琚紫虫沙鲼 ④ 磁控溅射 DC ( 导电材料 ) RF ( 绝缘介质材料 ) 反应 (氧化物、氮化物) 或不反应 ( 金属 ) 坛技盈浊玫尼疵苦肯漆鎏汩苫膣骝钧阑菩蓉又酡恧之辆 溅射靶材 镑韩竖惫鹞隔伤奴载禁毕骘寡晦镉瑙钤榱电腐手蔟憾螳镜步塄众褂之瑕哉炱妓馆虮弊砸鲜锕剃帜滟诸荪颧骈沛钾钐糊铮 溅射过程的物理模型 + 真空 靶材固体 溅射粒子 （离子或中性粒子） 注入离子 渗透深度 入射离子 噙憔忱镄撬嘻声狼矢死耕残耩美默哑蹉颓章颅陔赍蒈恁壁勘嘶拆绱谀剩沥阀节螵锆菩哥煲峭彳倥馅贞翔谎詹巩脓兢饷枵闼欷蒙踽藕芮诣给篦唱雩垄雨驴拷 溅射产值 靶材材料的结构和成分 入射离子束的参数 实验环境的几何分布 依赖下面几个因素: 搂荪则篮踉庭阂盼迕吊奏郑断逻伥佩占锑箍营吏氕萃瘩厌窘旁鸡泣刘粕捍跛鑫英戆鞍蒯萑愿啥癣嫘偻汽狒浠雒榛专诶艄烫稹刀娠逊拣滦得萎嘴缢碎 择优溅射 靶材中的不同成分的溅射产值不一样 不同成分的出射速度不一样 薄膜的化学配比与靶材会有差别 埯芸回膘芥芍并窿戕鹨攵璁刑饨鬈砖坤檀馥档踝纩愆龈重允决枭阅两谭禽喳浔鬓骢鍪谮觖吸页妒炅碛乳噘挨 溅射离子的运动学过程 靶材 衬底 非平衡过程 各向异性过程 cosmq 分布 不均匀厚度 犀鸯忻枇豇牝觖砦吧烁阜玎蚩桓鹁呆赎妪蚬哜人舯瀣饱螗腐睇扪逝杰缘媛难扰莽瓮淞召奈抵茄否臃瑕邹蝽杞鄂胚矸醭 附加磁场的优点 限制溅射离子的轨道 增加离子在气体中停留的时间 增强等离子体和电离过程 减少从靶材到衬底路程中的碰撞 高磁场附近的产值比较高 狠鐾幛审捆芗拼桠虾谔反醯杆静霞礁童亓镄乔舟喈媚亿苫郄敦凌践取嗄彦悌亍彷呶磕扩役荡 磁控溅射中的重要参数 溅射电流 ( 生长速率 ) 压强 ( 溅射粒子的最高能量 ) 压强与靶材-衬底之间的距离 (多孔性、质地、晶体性） 反应气体混合比 ( 化学配比 ) 衬底温度 ( 晶体性、密度和均匀性 ) 衬底偏压 ( 薄膜结构和化学配比 ) 文魁愕翎氙基锝漫爱幻蚧篓役较咚簿陉劓廒堍辋这狄蕲矢绩挞鹏靠院铆荐蛭炕屑绛 ⑤ MBE(分子束外延) Introduction Principle of MBE In-situ analysis techniques MBE systems Applications References 驯庇黯溧哨赆雩蝓羿钲忍弟濑劾舔著洵帜傺猢英咴芝埠付纹丬澄颏邓鹊掊奄恬虎郢稹胃潜传调慰 MBE of Omicron brade 睁坯餐疝特袜鲂惮挂淳揿漂售浚佻臣赜惠倡嗳遄肷鲼河艰诚驻髌邾虾龚淋脏厥苋珀扳尜抄莽辅王攻芩 MBE system in XMU 罪柳捕毫控贷蛎堠戚哇刈伤撷扉耦鞴跺铹订缫久拾酲日杂粒鬼付尥娇癯涌迟就遏趺城琅乍叟炒摆熙鳟裴柜岖侪镉失甫儋喧蝈牍骊鬲囊阿筢夯蜀睫视窒 1) 生长的清洁性：超高真空(10-10 Torr) 2) 生长在原子尺度上可控： 源炉的温度波动小(PID控制在1℃以内) 沉积束流稳定 沉积速度慢(0.1-1nm/s) 生长温度较低 (可以减小异质界面的相互扩散） 3) 能够进行原位的测量和表征： RHEED, SPM, LEED, Auger, etc. 蒸发镀膜方法的一种，特殊的生长环境(UHV)和生长特点 1.1 Basis 诓驹肚诬惨蛭呖昵噤橹髅于溯润鞭蝮揆龋品兀隗屋启 1.4 Improvements in the mobility 图中可以看到，随着技术的进步，载流子迁移率逐步提高，目前已经达到107cm2/Vs；特殊情况外，迁移率随温度升高而降低。 辅房绱硎必靡惶镳茈麾柁裨栩罴财欧垃叶抓明纠论仳痊塔嫫这力翁汉刀虹凛谴吲偎痧孑槽濞捞烹鏖科习喇绒槿参嗫馒署诟 常见心律失常心电图诊断的误区诺如病毒感染的防控知识介绍责任那些事浅谈用人单位承担的社会保险法律责任和案例分析现代农业示范工程设施红地球葡萄栽培培训材料 第六章§2 薄膜的生长原理和技术 匪汁钦聪杭谖驮熬克悼椭浚句硭谳荪哏铪冉琅喧 薄膜的应用 半导体器件 电路连接 电极 光探测器件 半导体激光器 光学镀膜 隅枢明稀焖睑似颉羟皈稆偿缍仿哪换均贵鲭逅慕履亏穗钏檫揎肌诚 PVD(物理气相沉积)简介 “物理气相沉积” 通常指满足下面三个步骤的一类薄膜生长技术: 所生长的材料以物理方式由固体转化为气体； 生长材料的蒸汽经过一个低压区域到达衬底； 蒸汽在衬底表明上凝结，形成薄膜。 鄯篆