半导体场效应管概论.pdf

22.33 半导体场效应管半导体场效应管 （书5.3、5.1节） 22.33.11 结型场效应管结型场效应管 （（书书55.33节节）） 2.3.2 绝缘栅场效应管（书5.1节） 2.3.3 场效应管的主要参数及电路模型 2.3.4 双极型和场效应型三极管的比较 场效应半导体三极管是仅由场效应半导体三极管是仅由一种载流子参与导电的种载流子参与导电的 半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体 器件器件。从参与导电的载流子来划分从参与导电的载流子来划分，，它有电子作为载流它有电子作为载流 子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 从场效应三极管的结构来划分，它有两大类。 11.结型场效应三极管结型场效应三极管JFETJFET (Junction type Field Effect Transister) 2.绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET ） 22.33.11 结型场效应管结型场效应管 （（书书55.33节节）） 1.结型场效应三极管的结构 JFET 的结构如图所示的结构如图所示，它是在它是在N型半导体硅片的两型半导体硅片的两 侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道 的结构的结构。。PP区即为区即为栅极栅极，，NN型硅的型硅的一端是端是漏极漏极，，另另一端端 是源极。 结型场效应三极管的结构（动画2-8 ） 上节课内容提要 1、三极管的主要参数及电路模型 结构结构→→物理模型的方法物理模型的方法→→混合混合ππ型微变等效电路型微变等效电路 ↓小信号前提、简化 低频简化π型微变等效电路 r r +r be bb b e 2626mVmV r +(1+β) b b′ r I E (mA) be β I E (mA) g m ≈38.5I C (mS ) r 26mV b e 2、场效应三极管 （（11））分类分类、符号符号 结构：结型场效应管 绝缘栅场效应管（MOSFET） 参与导电的载流子参与导电的载流子：：NN沟道沟道、、PP沟道沟道 （2 ）结型场效应管的工作原理 栅源电压控制沟道的电阻栅源电压控制沟道的电阻； 漏源电压产生漏极电流，并使沟道不等宽。 夹断电压UGS(off) 2. 结型场效应三极管的工作原理 (1) 栅源电压对沟道的控制