电沉积法制备加速器生产109.pdf

　第39卷第6期 原 子 能 科 学 技 术 Vol . 39 ,No . 6 　2005年11月 Ato mic Ener gy Science and Technolo gy Nov . 2005 109 电沉积法制备加速器生产 Cd 用 Ag 靶 陈玉清 ( 原子高科股份有限公司 同位素事业部 ,北京 　1024 13) 摘要 :采用电沉积法对加速器生产109 Cd 所用 A g 靶的制备工艺进行研究 。实验研究了电沉积过程中影 响 A g 靶层质量及厚度的主要因素 ,确定了 A g 靶制备工艺条件和工艺参数 :ρ( A g + ) = 20 ～50 g/ L , ρ( KN O ) = 10～30 g/ L ,φ(N H O H) = 0 . 1～0 . 2 ; 电流密度 10 ～15 mA/ cm2 , 电沉积时间 2 ～3 h ,室温 。 3 4 用此工艺条件制备出靶厚大于 100 mg/ cm2 、表面光滑 、镀层致密的 Ag 靶 。 关键词 :A g 靶 ; 109 Cd ; 电沉积 ( ) 中图分类号 : TL 503 . 4 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :1000693 1 2005 Preparation of Ag Target f or Producing 109 Cd by ElectroDeposition C H EN Yuqing ( ) A tom H i g h Tech Co. , L t d. , P. O. B ox 275 99 , B eij i ng 1024 13 , Chi na 109 Abstract :　The p rep aratio n of t he A g t ar get for p ro ducing Cd by cyclot ron u sing elec t rodep o sition met ho d i s de scribed . The eff ect s of main p roce ss p aramet er s on t he p er for mance an d ma ss t hickne ss of A g t ar get were st udied , an d sugge st ed t echnolo gical con ditio n s are a s follow s : ρ(A g + ) = 20～50 g/ L ,ρ( KN O ) = 10～30 g/ L ,φ(N H O H) =