半导体三极管与其应用.doc

第三章 半导体三极管及其应用 §3.1 双极型三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 3.1.2 三极管内部的电流分配与控制　 　　双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压，如图所示。 在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的运动： (1)在VBB作用下，发射区向基区注入电子形成IEN，基区空穴向发射区扩散形成IEP。 (2) 电子在基区复合和扩散，由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流IBN。由于基区薄且浓度低，所以IBN较小。 (3) 集电结收集电子，由于集电结反偏，所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结，到达集电区，形成电流ICN。 (4) 集电极的反向电流，集电结收集到的电子包括两部分：发射区扩散到基区的电子——ICN，基区的少数载流子——ICBO IE=IEN+IEP 且有 IENIEP IEN=ICN+IBN 且有 IEN IBN ，ICNIBN IC=ICN+ICBO　　IB=IEP+IBN－ICBO　　IE=IC+IB 3.1.3 三极管各电极的电流关系 (1)三种组态 　　双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见下图 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示； 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示。 (2)三极管的电流放大系数 对于集电极电流IC和发射极电流IE之间的关系可以用系数来说明，定义: 　　　　　　　　　　　　　 称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极的电子电流ICN与总发射极电流IE的比值。ICN与IE相比，因ICN中没有IEP和IBN，所以的值小于1, 但接近1，一般为0.98~0.999 。由此可得: 在忽略ICBO情况下， IC 、 IE 和IB之间的关系可近似表示为： 3.1.4 三极管的共射极特性曲线 信号表示 　　信号表示（对IC 、VBE 、VCE 等意义相同）：IB 表示直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示复数量／iB 表示交直流混合量／ib 表示交流变化量 　1. 输入特性曲线 (1) VCE=0时：b、e间加正向电压， JC和JE都正偏， JC没有吸引电子的能力。所以其特性相当于两个二极管并联PN结的特性。VCE=0V： 两个PN结并联 (2) VCE1V时，b、e间加正向电压，这时JE正偏， JC反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被JC收集，只有小部分与基区多子形成电流IB。所以在相同的VBE下，IB要比VCE=0V时小。VCE1V： iB比VCE=0V时小 (3) VCE介于0~1V之间时，JC反偏不够，吸引电子的能力不够强。随着VCE的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB逐渐减小，曲线向右移动。0VCE1V: VCE增加，iB减小 2. 输出特性曲线 3) 饱和区：对应于VCEVBE的区域，集电结处于正偏，吸引电子的能力较弱。随着VCE增加，集电结吸引电子能力增强，iC增大。JC和JE都正偏，VCES约等于0.3V，饱和时c、e间电压记为VCES，深度饱和时VCES约等于0.3V。饱和时的三极管c、e间相当于一个压控电阻。 　 3. 温度对三极管特性的影响 　　 温度升高使：（1）输入特性曲线左移 　　　　　　　　（2）ICBO增大，输出特性曲线上移 　　　　　　　　（3）β增大 3.1.5 半导体三极管的参数 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数，交流参数，极限参数 　 　　 　 　　 　　 　　　 　　　　　　　　　　　　　　 3.1.6 三极管的型号 　 3.1.7 三极管应用 　　 三极管工作情况总结 　　 例3.1.1：判断三极管的工作状态 　　 例3.1.2：判断三极管的工作状态 　　 §3.2 基本共射极放大电路电路分析 3.2.1 基本共射放大电路 1. 放大电路概念：基本放大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。 　　a.放大电路主要用于放大微弱信号，输出电压或电流在幅度上得到了放大，输出信号的能量得到了加强。 　　b.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。　　　　　 2.