制程服务注意事项说明-国家晶片系统设计中心.PPT

製程服務注意事項說明 晶片實作組 2006/05/22 會中除了頒獎、展示國內學術界透過CIC製作晶片之研究成果、邀請廠商(Agilent)發表演講外，將同時舉辦一場製程服務說明。藉此機會說明目前CIC於製程資料申請、晶片下線服務之相關措施與注意事項。 因本場次說明內容亦包含製程資料控管部分，故將視為舉辦製程資料 控管說明會。所以歡迎各位踴躍報名參加。 ? 如您是教授尚未申請T13製程(含T13RF、T13L)未來預計申請，或您是學生，之前不曾參加過製程資料控管說明會，未來預計下線T13製程，或您對CIC提供之製程服務相關措施有興趣，均歡迎您踴躍報名。 ? 欲瞭解2006晶片製作成果發表會相關訊息，或報名，請上網：.tw/workshop_cis/  D35製程Dummy Pattern Cell使用說明 (03/27/2006新增) 適用製程:TSMC 0.35UM MIXED SIGNAL 2P4M POLYCIDE 3.3V/5V PROCESS? CIC從D35-95C梯次開始要求申請者於佈局中加入Dummy Pattern，以滿足晶圓廠所要求的Poly/Metal Density，為了讓申請者在整個設計的流程更順利，CIC提供一個Dummy Pattern Cell 給申請者使用，讓申請者在佈局完成後能盡快的將Density補足。請至CIC首頁--製程服務--技術資料(輸入帳號密碼登入) --技術資料，下載dummy pattern cell， File name :T035MMDP001E_V_1.gds.gz --技術文件，下載dummy pattern使用說明文件， File name : T035MMDP001_V_1.pdf 如有任何疑問,請與鄧宗維先生聯絡 Tel: (03)5773693#229 Email: twteng@.tw TSMC 0.13UM dummy metal generator(03/28/2006) 更新T013LODR001C3_2_1A.tar.gz (TSMC 0.13UM DUMMY METAL (CALIBRE) GENERATION UTILITY) 說明：修正CBM與M7、M8之距離過近以及無法產生對應Dummy Metal 之問題。 適用製程：T013RF 如有任何問題歡迎與張文旭先生聯絡 E-Mail：wenshu@.tw TEL：(03)5773693 ext.176 製程資料申請採用一年一簽，原本94年度申請使用期限至95年1月31日止，故請各位製程資料申請人，務必自即日起至本中心網頁 .tw/cic_v13/fab_services/index.jsp 登入點選“製程申請” 因95年起申請T13製程(含T13L、T13RF)，被授權人員(如學生)必須參與製程資料控管說明會，方可授權使用製程資料與各類晶片製作申請(下線申請)，因此請欲申請T13製程之申請者(老師)務必要求被授權人員(如學生)參加”製程資料控管說明會”。否則將影響未來下線權益。 製程資料控管說明會(94年度)舉辦日期如下： ＊注意：欲申請T13L-95A/T13RF-95A 晶片製作的被授權人員(如學生)，強烈建議參與第一場說明會，以利後續審核，避免影響下線權益。 如未寄回95年度的「製程資料必威体育官网网址同意書」，本中心自95年2月1日起將無法繼續提供製程資料，亦無法提供晶片製作(下線申請)的申請服務。若有任何製程申請相關問題，歡迎隨時與 03-5773693 *205晶片組 簡小姐 聯絡! TSMC 0.18um製程下線注意事項   因CIC調整明年(95年)度提供之製程，UMC 0.18um Mixed Signal/RF CMOS 1.8V/3.3V Process(簡稱U18)下線服務將至95年5月份為止，未來將不再提供此製程之資料申請與下線相關服務。為減緩製程轉換衝擊與協助相關設計結案，預計95年5月份前仍保有兩梯次下線，確實下線時程以95年度晶片製作時程表為準(預計於94年10月份公告)。 由於 UMC Mixed Signal/RF CMOS 1.8V/3.3V process與 TSMC 0.18um CMOS Mixed Signal/RF General Purpose MiM Al 1P6M 1.8V/3.3V process(簡稱T18)特性差異不大，T18相關設計環境也完整，亦提供Artisan Cell Library，因此建議U18使用者未來可轉換製程至T18製作。對於數位高速電路之設計者，亦可參考使用TSMC 0.13um CMOS Mixed Signal General Purpose MiM