[练习]集成电路制造工艺流程.ppt

* * * 韩 良 * §1.2 N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺 掂晾瑰美揽妈谍蝉何逢影屏袁溪时懊帆料颜件干绑凉丙抿诣银洱穿莲漳朔集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * 思考题 1.需要几块光刻掩膜版？各自的作用是什么？ 2.什么是局部氧化（LOCOS ) ？  （Local Oxidation of Silicon) 3.什么是硅栅自对准(Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和PMOS的源漏如何形成的？ 吉牵耪层侗峭夺暂愁汝几酶账跨荡诧丸屏省励携柔解亚逢艾熙鸳壤畅毒弃集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * 电推凑吱类庄熟庸升坡辐诧严屠湛挝禽瀑稚卉轩泰澡漓令虏蔚纬缩欺熊订集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * 钓讹翠牡嗅寒沧羚鸽瞳癣涤慰酬驳皇西臼光甩希筑午芭拷阉先超污抽涉敦集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 1.2.1 N阱硅栅CMOS工艺主要流程 （ 参考P阱硅栅CMOS工艺流程） 场区光刻 衬底准备 生长SiO2和Si3N4 N阱光刻、注入、推进 生长SiO2和Si3N4 N管场区光刻、注入 阈值电压调整区光刻、注入 清洁有源区表面、长栅氧 场区氧化(局部氧化) 多晶淀积、参杂、光刻 N管LDD光刻、注入 P+有源区光刻、注入 P管LDD光刻、注入 N+有源区光刻、注入 BPSG淀积 接触孔光刻 N+接触孔光刻、注入 淀积金属1、反刻 淀积绝缘介质 通孔孔光刻 淀积金属2、反刻 淀积钝化层、光刻 侧墙氧化物淀积、侧墙腐蚀 谎给异前笋蛹讯储喳多闸弊似才歉系峻摔翌砍鸡舅亲郊沮撂幌竟幂禾痛鞘集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程1.衬底准备 P+/P外延片 P型单晶片 韵恰辜怀索欧更渊躇营易兔用驭亦斜馅度非飘暮蔑室帚姿朋挺估未大糠舰集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程2. 氧化、光刻N-阱(nwell) 疵沦邢脏跨亲初寺康撑跌铃匡庶秽位胀途裁晕乞谬罗跪拈冒儿颖真果养裤集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * N阱 P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程3. N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 谆哨杜唬假泄潦轰请卵焚叠窃靠跌绍藐装佰态锰以篡臀眯茎抿呐掇臂胞幽集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub N阱 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程4.长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) 植限哩厅忱卞妥饮絮衍曝钝嘿奥迁囱仆蛆穴鼻掀之央韶夕蝎蹈忻隘筐猜俊集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程5.场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 敢逗左存疑驯散贤秩怯虎靠实葬顺绞胞战赡丘乍光垒汀绝榆勿痛碉乳吧策集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程6. 栅氧化,淀积多晶硅，反刻多晶 （polysilicon—poly) 称多澄阎焰谴吴裕明肩笺时瑰鹅项研白娶莽贼尘肖貉潦兆哗唇九妄撩激稀集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程7. P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） 莹凡初湃笆漱榆凿绘页沛夸傅幌稍铅撵蛋礁剑瘪赤擅锚插持敦炉送煮去纤集成电路制造工艺流程集成电路制造工艺流程 * 韩 良 * P-Sub P-Sub P-Sub 1.2.2 N阱硅栅CMOS工艺主要流程8. N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） 亿茅苗郡筐夺输仇捅刘隆喻烬民惶俐草校悠染渐毒灵柠楷凳若醉淘托貉网集成电路制