LED芯片制造工艺基础培训讲解.ppt

身边的LED LED种类 LED构造 认识制造二部 LED芯片制程简表 LED制程主要步骤模型 认识制造流程卡 产品品种及版型 制备凸PSS * 综合测试 化学站 综合站 黄光站 合格品 去胶、清洗、湿法腐蚀 在外延片表面形成指定图形的光刻胶保护膜 薄膜、干刻、熔合 产品光电参数、外观、打线、推力、热膜等测试 研磨 （制造三部） 13金属剥离去胶 5去胶、清洗 2外延清洗 化学站 17金属熔合 16 SiO2蚀刻、去胶 15光刻SiO2 14SiO2沉积 SiO2工艺 18电性 19打线 20推力 21拉膜 22外观 12 P/N Pad蒸镀 9ITO熔合 4Mesa刻蚀 综合站 11Plasma清洗 8ITO蚀刻、去胶 1去铟球 化学站 10 P/N Pad光刻 7ITO光刻 3Mesa光刻 黄光站 6ITO蒸镀 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 实物图 EPI EPI EPI EPI 注：以上制程适合部分版型，实际已制程单为准 p N MQW 衬底 效果图 为了确保ITO薄膜与外延片的充分接触，在镀膜前需要进行铟球剔除与一系列的清洗作业 （1）ITO蚀刻液去除铟球 （2）511具有极强的氧化性，能够有效去除外延表面的有机杂质与金属离子 （3）稀HCl外延表面去除金属离子 去膜剂 511 稀HCl 冲水甩干 ITO蚀刻液 外延清洗干净与否直接影响到ITO与外延的粘附力！及其关键！ 点有铟球的外延片 外延清洗不干净导致缺陷 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 综合站 1去铟球 化学站 黄光站 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 软烘 曝光 显影 坚膜 匀正胶 365nm紫外光 匀胶台 曝光台 软烤、坚膜 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 综合站 1去铟球 化学站 3Mesa光刻 黄光站 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 光刻胶的主要成分： Resin : Film material (Polymer) :酚醛树脂，提供光刻胶的粘附性、化 学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中的 PAC : Photo Active Compound,光敏化合物，最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是 一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学 分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。 Solvent ::醋酸溶剂，提高流动性 i-Line PR Photo reaction in PR/air ketene hv H2O OH- Carboxylic Acid 黄光站湿度、温度的重要性 光刻知识： 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 综合站 1去铟球 化学站 3Mesa光刻 黄光站 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 离子化Cl2+BCl3 RF源 ICP刻蚀 通过ICP(感应耦合等离子体)干刻，去除不需要的P-GaN和MQW,露出N-GaN。 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 4Mesa刻蚀 综合站 1去铟球 化学站 3Mesa光刻 黄光站 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 去胶、清洗 刻蚀深度测试 去胶后每批抽1片进行刻蚀深度测试，确保已经刻到N-GaN重掺层，刻蚀过深或过浅都会影响到芯片的多项光电参数（Vf1等）。 去膜剂 5去胶、清洗 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 4Mesa刻蚀 综合站 1去铟球 化学站 3Mesa光刻 黄光站 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 为了电流更好地扩展到芯片的整个面域，增加发光区，并且不能挡住光的射出，需要蒸镀一层导电且透光的薄膜——ITO. E-beam ITO靶材 ITO蒸镀机 透光率、面阻测试 ITO为以掺Sn的In2O3材料，属于N型氧化物半导体材料，通常Sn2O3:In2O3=1:9。 监控参数： 面电阻、透光率、膜厚、蚀刻率，整体评价ITO膜质量。 熔合后合格透光率92%,面租值5~35Ω,膜厚：2400A 5去胶、清洗 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 4Mesa刻蚀 综合站 1去铟球 化学站 3Mesa光刻 黄光站 6ITO蒸镀 综合站 检测 P/N Pad工艺 ITO工艺 Mesa工艺 前处理 匀正胶 软烤 曝光 显影 坚膜 365nm紫外光 匀胶台 曝光台 软烤、坚膜 5去胶、清洗 2外延清洗 化学站 SiO2工艺 4Mesa刻蚀 综合站 1去铟球 化学站 7ITO光刻 3Mesa光刻 黄光站 6ITO蒸镀 综合站 检测 P/N P