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- 2021-06-03 发布于四川
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- | 2018-06-07 颁布
- | 2019-01-01 实施
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本标准是GB/T36474-2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法
ICS31.200
L56
中华人 民共和 国国家标准
/ —
GBT36474 2018
半导体集成电路
第三代双倍数据速率同步动态随机
存储器( )测试方法
DDR3SDRAM
—
Semiconductorinteratedcircuit
g
Measurin methodsfordoubledatarate3snchronousdnamicrandomaccess
g y y
( )
memor DDR3SDRAM
y
2018-06-07发布 2019-01-01实施
国家市场监督管理总局
发 布
中国国家标准化管理委员会
/ —
GBT36474 2018
目 次
前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ
1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1
2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1
3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1
4 一般要求 ………………………………………………………………………………………………… 2
4.1 通则 ………………………………………………………………………………………………… 2
4.2 功能验证的一般要求 ……………………………………………………………………………… 2
4.3 电参数测试的测试向量 …………………………………………………………………………… 2
4.4 电参数测试的示波器 ……………………………………………………………………………… 2
4.5 测试环境 …………………………………………………………………………………………… 2
5 详细要求 ………………………………………………………………………………………………… 3
5.1 功能验证 …………………………………………………………………………………………… 3
5.2 时钟 ………………………………………………………………………………………………… 3
5.3 读数据参数 ………………………………………………………………………………………… 6
5.4 写数据参数 ………………………………………………………………………………………… 8
电源电流( )/数据管脚的电源电流( )……………………………………………………
5.5 I I
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