GB/T 36474-2018半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

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  •   |  2018-06-07 颁布
  •   |  2019-01-01 实施

GB/T 36474-2018半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法.pdf

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本标准是GB/T36474-2018半导体集成电路第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3SDRAM)测试方法

ICS31.200 L56 中华人 民共和 国国家标准 / — GBT36474 2018 半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机 存储器( )测试方法 DDR3SDRAM — Semiconductorinteratedcircuit g Measurin methodsfordoubledatarate3snchronousdnamicrandomaccess g y y ( ) memor DDR3SDRAM y 2018-06-07发布 2019-01-01实施 国家市场监督管理总局 发 布 中国国家标准化管理委员会 / — GBT36474 2018 目 次 前言 ………………………………………………………………………………………………………… Ⅲ 1 范围 ……………………………………………………………………………………………………… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 一般要求 ………………………………………………………………………………………………… 2 4.1 通则 ………………………………………………………………………………………………… 2 4.2 功能验证的一般要求 ……………………………………………………………………………… 2 4.3 电参数测试的测试向量 …………………………………………………………………………… 2 4.4 电参数测试的示波器 ……………………………………………………………………………… 2 4.5 测试环境 …………………………………………………………………………………………… 2 5 详细要求 ………………………………………………………………………………………………… 3 5.1 功能验证 …………………………………………………………………………………………… 3 5.2 时钟 ………………………………………………………………………………………………… 3 5.3 读数据参数 ………………………………………………………………………………………… 6 5.4 写数据参数 ………………………………………………………………………………………… 8 电源电流( )/数据管脚的电源电流( )…………………………………………………… 5.5 I I

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