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第四章 场效应管放大电路 §4.1 绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transister) 1. 结构和符号（以N沟道增强型为例） 2. 工作原理（以N沟道增强型为例） （1）栅源电压VGS的控制作用 （1）栅源电压VGS的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 （2）漏源电压VDS对漏极电流ID的控制作用 3. 特性曲线（以N沟道增强型为例） 输出特性曲线 4.其它类型MOS管 各种类型MOS管的特性曲线 各种类型MOS管的特性曲线 5. 场效应管的主要参数 场效应管的主要参数 场效应三极管的型号 几种常用的场效应三极管的主要参数见表 §4. 2 结型场效应管(Junction type Field Effect Transister) 2. 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 工作原理 3. 特性曲线 场效应管总结 双极型和场效应型三极管的比较 4.3 场效应管应用 场效应管应用 §2.7 场效应管放大电路 场效应管的小信号模型 场效应管的小信号模型 2.7.1 共源极放大电路 电路组成 直流分析（估算法） 交流分析 共漏极放大电路 交流分析 输出电阻 共栅极放大电路 例题1 共源 例题1解 §2.8 多级放大电路 基本概念 直接耦合多级放大电路 阻容耦合多级放大电路 变压器耦合多级放大电路 多级放大电路的频率响应 多级放大电路 2.8.1 直接耦合多级放大电路 直接耦合多级放大电路动态分析 阻容耦合多级放大电路 变压器耦合多级放大电路 变压器耦合多级放大电路 例题 多级放大电路1 例题多级放大电路2 本章总结 三极管的三种工作状态（放大、截止、饱和）； 放大电路的静态、动态；直流通路、交流通路； 静态工作点估算 放大电路的图解分析（静态、动态） 三极管小信号模型及微变等效电路分析法 共射、共集、共基电路分析及性能比较 多级放大电路分析 三极管高频模型及共射电路的频率响应 例题2 多级放大电路 例题2解 已知场效应管输出特性表达式： 求全微分: 漏极与源极间等效电阻 变化量 其中： 低频跨导, 可从输出曲线上求出 一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型: 以NMOS增强型场效应管为例 三极管与场效应管三种组态对照表： 比较共源和共射放大电路，它们只是在偏置电路和受控源的类型上有所不同。只要将微变等效电路画出，就是一个解电路的问题了。 图中Rg1、Rg2是栅极偏置电阻，Rs是源极电阻，Rd是漏极负载电阻。与共射基本放大电路的Rb1、Rb2，Re和Rc分别一一对应。而且只要结型场效应管栅源间PN结是反偏工作，无栅流，那么JFET和MOSFET的直流通道和交流通道是一样的。 直流通路 直流分析(估算法）： VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR IDQ= IDO[1－(VGS /VP)]2 VDSQ= VDD－ID(Rd+R) 解出VGS、ID和VDS。 微变等效电路 直流分析 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－IDR 由此可以解出VGS、ID和VDS。 与三极管共集电极电路对应 直流通路： Ro≈Rd 已知： gm=0.3mA/V IDSS=3mA VP=-2V 解：静态分析： VGS=-RID ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 代入参数得： 3ID2-7ID+3=0 IDQ=0.57mA ID=1.77mA（不合理，舍去） VGSQ=-1.14V VDSQ=VDD-ID(Rd+R)=8.31V +vi - C1 0.01u Q Rg 10M R 2K Rd 15K RL 18K C2 0.1u C3 10u VDD 18V +vo - 动态分析： Ri=Rg=10MΩ Ro=Rd=15KΩ 单级电路: Io Ri Ro + Vi - Ii + Vo - AVoVi Io1 Ri1 Ro1 + Vi - Ii + Vo1 - AVo1Vi1 Io Ri2 Ro2 + Vo - AVo2Vi2 多级电路: vi vo 优点：低频性能好， 易于继集成 缺点：静态点相互影响 （温度漂移问题） 静态分析： VBB=IB1Rb1 +VBE1 VCE1=IB2