LTPS工艺程与技术.ppt

May 2003 PeakPerformanceT PCM LTPS工艺流程与技术 LTPSOLED 绝缘层选择 SiNx: 1.具有高的击穿电压特性 2.具备自氢化修补功能 3.与多晶硅的界面存在过多的缺陷和陷阱，易产生载流子捕获缺陷和 阈值电压漂移，可通过SiO2/SiNx克服 ELA (Excimer Laser Annel) 晶化效果 Mechanism of ELA SPC（solid phase crystallization） SPC Comparison of different backplane 氢化工艺 LTPS的主要设备 FFS( Fringe-Field Switching )IPS(In-Plane Switching) 玻璃基板 RTA System Overview 沉积缓冲层\有源层 多晶硅晶化 P-Si刻蚀(mask1) P-Si刻蚀(mask1) 沟道掺杂(mask2) 沟道掺杂 N+ 掺杂(mask3) N+ 掺杂(mask3) GATE Insulator Gate层（mask4） Gate 刻蚀(干刻) Gate 刻蚀(干刻) LDD掺杂 Gate掩膜 P+ 掺杂(mask5) P+ 掺杂 ILD成膜与活化（氢化） Via1(mask6) 通孔刻蚀 通孔刻蚀 SD层(mask7) SD成膜 SD 干刻 Passivation层(mask8) Passivation层 平坦化层(mask9) 平坦化层 像素电极 电极刻蚀(mask10) 反射电极 电极刻蚀(mask10) 电极刻蚀(mask10) PDL/Spacer层(mask11/12)for OLED PDL/Spacer层(mask11/12) ITO1电极 PV2电极 ITO2电极 LCD工艺 OLED-CELL-MODULE process Driver area Pixel area MoNb GATE 材料 Remark 工艺条件 工艺 Glass P-channel N-channel ECCP干刻 去胶 Taper 53 GI loss~350A Taper 46 GI loss~0A PHX+ LDD Doping LDD Doping P-channel N-channel Ion implanting Dose：1×1013 -5×1013(ion/ cm2) 薄层电阻：104-105Ω/□ PHx+ LDD 材料 厂商 工艺条件 工艺 LDD Glass Driver area Pixel area PR PR Glass B+ Doping P-channel N-channel 共4次掺杂： Channel doping、LDD、 N+ doping、P+ doping Ion implanting Dose：1014 -1015(ion/ cm2) 薄层电阻： 103 -104Ω/□ B+ P+ doping 材料 remark 工艺条件 工艺 P+ doping 第5次光刻 灰化 去胶 Driver area Pixel area Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel BHF清洗 ILD成膜 活化(氢化） 3000?/3000?， SiNx/(SiH4,NH3,N2) SiO2(SiH4,N2O) SiNx/SiO2 ILD成膜 活化：600℃ 1-3分钟 氢化：380 -420℃，30分钟 活化 (氢化） 材料 厂商 工艺条件 工艺 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel 光刻 ICP刻蚀 去胶 SiO2/SiNx/SiO2 1000?/3000?/3000? （ P-Si过孔深7000?， gate 过孔深6000?) 通孔刻蚀 材料 厂商 工艺条件 工艺 Glass Driver area Pixel area P-channel N-channel BHF清洗 SD成膜 光刻 ECCP干刻 SD干刻 350℃ 40min Metal anneal 台阶覆盖性，腐蚀问题，接触电阻,hillock; PVD100/200 300/4000/700 ? Ti-纯Al-Ti SD成膜 材料 Remark 工艺条件 工艺 去胶 Metal anneal Power↓ Ar ↓ 成膜温度↓ Glass Dr