IC芯片封装试工艺流程.ppt

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IC芯片封装试工艺流程

EOL– Molding(注塑) 为了防止外部环境的冲击,利用EMC 把Wire Bonding完成后的产品封装起 来的过程,并需要加热硬化。 Before Molding After Molding EOL– Molding(注塑) Molding Tool(模具) EMC(塑封料)为黑色块状,低温存储,使用前需先回温。其特 性为:在高温下先处于熔融状态,然后会逐渐硬化,最终成型。 Molding参数: Molding Temp:175~185°C;Clamp Pressure:3000~4000N; Transfer Pressure:1000~1500Psi;Transfer Time:5~15s; Cure Time:60~120s; Cavity L/F L/F EOL– Molding(注塑) Molding Cycle -L/F置于模具中,每个Die位于Cavity中,模具合模。 -块状EMC放入模具孔中 -高温下,EMC开始熔化,顺着轨道流向Cavity中 -从底部开始,逐渐覆盖芯片 -完全覆盖包裹完毕,成型固化 EOL– Laser Mark(激光打字) 在产品(Package)的正面或者背面激光刻字。内容有:产品名称,生产日期,生产批次等; Before After EOL– Post Mold Cure(模后固化) 用于Molding后塑封料的固化,保护IC内部结构,消除内部应力。 Cure Temp:175+/-5°C;Cure Time:8Hrs ESPEC Oven 4hrs EOL– De-flash(去溢料) Before After 目的:De-flash的目的在于去除Molding后在管体周围Lead之间 多余的溢料; 方法:弱酸浸泡,高压水冲洗; EOL– Plating(电镀) Before Plating After Plating 利用金属和化学的方法,在Leadframe的表面 镀上一层镀层,以防止外界环境的影响(潮湿 和热)。并且使元器件在PCB板上容易焊接及 提高导电性。 电镀一般有两种类型: Pb-Free:无铅电镀,采用的是99.95%的高纯 度的锡(Tin),为目前普遍采用的技术,符合 Rohs的要求; Tin-Lead:铅锡合金。Tin占85%,Lead占 15%,由于不符合Rohs,目前基本被淘汰; EOL– Post Annealing Bake(电镀退火) 目的: 让无铅电镀后的产品在高温下烘烤一段时间,目的在于 消除电镀层潜在的晶须生长(Whisker Growth)的问题; 条件: 150+/-5C; 2Hrs; 晶须 晶须,又叫Whisker,是指锡在长时间的潮湿环境和温度变化环境下生长出的一种须状晶体,可能导致产品引脚的短路。 EOL– TrimForm(切筋成型) Trim:将一条片的Lead Frame切割成单独的Unit(IC)的过程; Form:对Trim后的IC产品进行引脚成型,达到工艺需要求的形状, 并放置进Tube或者Tray盘中; EOL– TrimForm(切筋成型) Cutting Tool Forming Punch Cutting Die Stripper Pad Forming Die 1 2 3 4 EOL– Final Visual Inspection(第四道光检) Final Visual Inspection-FVI 在低倍放大镜下,对产品外观进行检查。主要针对EOL工艺可能产生的废品:例如Molding缺陷,电镀缺陷和Trim/Form缺陷等; 400-680-9696 谢 谢! * * All right reserved ? Shanghai Imart 360 Introduction of IC Assembly Process IC封装工艺简介 艾 IC Process Flow Customer 客 户 IC Design IC设计 Wafer Fab 晶圆制造 Wafer Probe 晶圆测试 Assembly Test IC 封装测试 SMT IC组装 IC Package (IC的封装形式) Package--封装体: 指芯片(Die)和不同类型的框架(L/F)和塑封料(EMC)形成的不同外形的封装体。 IC Package种类很多,可以按以下标准分类: 按封装材料划分为: 金属封装、陶瓷封装、塑料封装 按照和PCB板连接方式分为: PTH封装和SMT封装 按照封装外

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