TFT-LCD设计及制作—TFT原理.pdfVIP

TFT-LCD设计及制作（2） ■ TFT工作原理 ■ TFT基本结构 ■ 各种TFT技术  ■TFT工作原理  ■TFT基本结构 ■各种TFT技术 TFT-LCD设计及制作 2 MOSFET  绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor ，缩写为IGFET）  的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用Si0 绝 2 缘层隔离，因此而得名。  在IGFET中，目前应用最为广泛的是MOS场 效应管（即金属-氧化物-半导体场效应 管:Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect- Transistor,缩写为MOSFET） TFT-LCD设计及制作 3  MOS结构是MIS （Metal-Insulator- Semiconductor）结构中的一种，当绝缘膜采 用氧化膜时就是MOS结构，在硅器件中，氧化 膜是通过硅衬底的热氧化形成的。  它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可 达1010Ω以上。它比结型场效应管温度稳定性 好、集成化时工艺简单，是微处理器、半导体 存储器等超大规模集成电路中的核心器件和主 流器件，也是一种重要的功率器件。 TFT-LCD设计及制作 4  根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、 耗尽型。  所谓增强型是指：当VGS=0时漏极电流也为零， 管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数 载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域 的载流子，形成导电沟道。因而增强型 MOSFET就是指必须施加栅压才能开启的一类 MOFET 。 TFT-LCD设计及制作 5  耗尽型则是指：当VGS =0时漏极电流不为零， 即形成沟道；加上正确VGS的时，能使多数载 流子流出沟道，从而“耗尽”了载流子，使管 子转向截止。因而耗尽型MOSFET是指必须施 加栅压才能关闭的一类MOSFET 。 TFT-LCD设计及制作 6 TFT 与MOSFET 之比较分析  TFT 与MO SFET 的工作原理比较  TFT 与MOSFET的工作原理相似, 当栅极施加 正电压时, 在栅极和半导体层间会产生一个电 场,在这个电场的作用下, 形成了电子沟道, 使源 极与漏极之间形成导通状态, 在栅极所加的电 压越大, 吸引的电子也愈多, 所以导通电流也越 大; 而当栅极施加负电压时, 使得源极与漏极之 间形成关闭状态。 TFT-LCD设计及制作 7  在实际LCD生产中，主要利用a-Si ：H TFT的 开态（大于开启电压）对像素电容快速充电， 利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快 速响应和良好存储的统一。 TFT-LCD设计及制作 8  TFT 与MOSFET 的结构非常的相似。  TFT