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⑻《建设项目环境风险评价技术导则》(HJT169-2004);.doc

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⑻《建设项目环境风险评价技术导则》(HJT169-2004);.doc

56 - MACROBUTTON MTEditEquationSection2 SEQ MTEqn \r \h \* MERGEFORMAT SEQ MTSec \r 1 \h \* MERGEFORMAT SEQ MTChap \r 1 \h \* MERGEFORMAT 建设项目环境影响报告表 项目名称: 半导体硅晶圆片8/6吋生产线建设项目 建设单位: 天水天光半导体有限责任公司 编制日期:2018年9月 国家环境保护部制 《建设项目环境影响报告表》编制说明 《建设项目环境影响报告表》由具有从事环境影响评价工作资质的单位编制。 1、项目名称——指项目立项批复时的名称,应不超过30个字(两个英文字段作一个汉字)。 2、建设地点——指项目所在地详细地址,公路、铁路应填写起止地点。 3、行业类别——按国标填写。 4、总投资——指项目投资总额。 5、主要环境保护目标——指项目区周围一定范围内集中居民住宅区、学校、医院、保护文物、风景名胜区、水源地和生态敏感点等,应尽可能给出保护目标、性质、规模和距厂界距离等。 6、结论与建议——给出本项目清洁生产、达标排放和总量控制的分析结论,确定污染防治措施的有效性,说明本项目对环境造成的影响,给出建设项目环境可行性的明确结论。同时提出减少环境影响的其他建议。 7、预审意见——由行业主管部门填写答复意见,无主管部门项目,可不填。 8、审批意见——由负责审批该项目的环境保护行政主管部门批复。 66 - 建设项目基本情况 项目名称 半导体硅晶圆片8/6吋生产线建设项目 建设单位 天水天光半导体有限责任公司 法人代表 安彪 联系人 王耀宏 通讯地址 甘肃省天水市秦州区环城西路7号 联系电话传真 — 邮政编码 741000 建设地点 甘肃省天水市秦州区环城西路7号 立项审批部门 天水市发展和改革委员会 批准文号 天发改工业(备)[2018]3号 建设性质 □新建□改扩建 eq \o\ac(□,√)技术改造 行业类别 及代码 电子工业专用设备制造C3562 占地面积 / 绿化面积 / 总投资 (万元) 16000 其中:环保投资(万元) 25.0 环保投资占总投资比例(%) 0.16 评价经费(万元) / 预期 投产日期 / 工程内容及规模: 1、项目由来 随着我国集成电路市场的需求增长,高端集成电路芯片制造的关键硅晶圆材料也将随之增长。中国是世界增长最快的半导体市场,目前中国市场占全球市场约15%。据市场调研机构预测,中国在2017年已成为世界最大的半导体市场,市场份额已占全球半导体市场的1/4以上。中国有望成为全球芯片生产线的聚集地。随着半导体市场的飞速发展,硅晶圆片的市场需求也不断增加,具有良好的发展前景。随着科技水平的不断提高,芯片制造行业对外延片的需求进一步加大。据统计2017年国内8英寸硅片产量(含抛光片和外延片)总计为120万片,平均月产出10万片,占国内需求的10%。目前国内对8英寸硅片月需求量约80万片,2020年开始月需求约750万—800万片。供需缺口极大。 天水天光半导体有限责任公司是我国最早开发生产数字集成电路与新型半导体器件的骨干企业之一,也是目前我国西部地区主要从事集成电路芯片设计、制造、外延、测试的集成电路生产企业。公司工业用地11.6万m2。其中:生产用建筑面积:25166m2(生产厂房净化面积8910m2)。公司现有员工586人。其中:从事集成电路和半导体半导体器件设计、工艺、制造、外延、测试、检验、专用设备调修等各类专业技术人员194人,具有高级技术职称者13人,从事双极型集成电路芯片制造、外延、测试技术人员392人。 硅外延片(EPl)是在单晶衬底片上,沿单晶的结晶方向生长一层导电类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新单晶层。硅外延片主要用于制作CMOS电路,各类晶体管以及绝缘栅,双极晶体管(IGBT)等。非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅主要用作各种硅光电池等。外延技术是半导体器件和集成电路的前沿技术之一。由于芯片制造技术的不断进步使得晶圆面积越来越大,外延技术所面临的挑战就进一步凸显出来。半导体器件和集成电路技术正在向细线条、大规模集成化方向发展,制造芯片所需衬底材料实现各种材质的多种薄膜外延提出了更高要求。 因此,鉴于半导体器件外延技术的发展要求和企业所拥有的技术,为进一步提升半导体高端产品的质量和技术,扩大半导体器件外延片规模生产能力,增强企业的国内市场的竞争能力。在天水天光半导体责任公司现有厂房进行升级改造,建设一条军民两用半导体硅晶圆片(8/6吋)生产线,达到年产半导体器件硅晶圆片约56万片的生产能力,拟购置先进的工艺设备及仪器43台/套。本项目中所使用

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