《模拟电子线路》第4章-杨凌-精选（公开课件）.ppt

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2018-11-01 发布于广西
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杨凌第 4 章场效应管及其基本放大电路 §4.0 引言 §4.1 JFET (体内场效应器件) §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.1 JFET §4.2 MOSFET (表面场效应器件) §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.1 增强型MOSFET §4.2.2 耗尽型MOSFET §4.2.2 耗尽型MOSFET §4.3 各种FET的比较 §4.3 各种FET的比较 §4.4 小信号电路模型 §4.4 小信号电路模型 §4.5 场效应管放大电路 §4.5.1 FET的直流偏置电路及静态分析 §4.5.1 FET的直流偏置电路及静态分析 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路 §4.5.2 FET放大电路章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论章末总结与习题讨论欢迎提出批评指正 ! g s gmVgs RG3 + Vgs － RG2 Ro Ri 图 4.19 (c) RD RG1 RL + Vi － rds d · · · + Vo － · Ri=RG3+RG1∥RG2 ( 4-11) Ro=RD∥rds ≈RD ( 4-12) Av =－gm(rds∥RD∥RL) =－ gmRL′ ( 4-13) · 2、带源极电阻的共源放大器 (b) VF RS2 RG3 CS + vo － RL RS1 RG2 RD RG1 VDD + vi － C1 C2 (a) + vo － RG2 RG3 VF d s g RD RG1 RL + vi － RS1 图 4.20 g Ri=RG3+RG1∥RG2 ( 4- 14) Ro ≈ RD ( 4-15) gmRL′ Av=－ ( 4-16) 1+gmRS1 · d · gmVgs Ro s Ri RG2 RG3 RD RG1 RL + Vgs － RS1 + Vo － + Vi － · · · 图 4.20 (c) 二、共漏放大器(源极跟随器) 图 4.21 VF RL RG3 RG1 VDD RG2 RS