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. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 一、气相沉积 气相沉积可以分为三类： 真空蒸镀 1、PVD 离子镀 溅射镀 常压CVD 2、CVD 低压CVD 光CVD 金属有机化合物热分解 射频PECVD 3、PECVD 直流PECVD 射频直流PECVD ｛ ｛ ｛ * 4、PVD全称： 物理气相沉积（Physical vapor dispotion) 5、PVD工艺目的： ①沉积AL作为背电极，收集单位面积载流子； ②减少出射光，提高光在非晶硅薄膜中的利用率； ③填充2nd激光凹槽，作为子电池正负电极的内连导线；。 * 二、PVD八大系统 1、真空室 PVD真空室可以分为五室、八室、十室， 一车间的为五室、八室，二、三车间的为八室，四车间的为十室。 十室PVD是在八室PVD的基础上多了两个溅射室。 真空状态可以分为三种： 低真空：10 E2 pa ~10 E5 pa 中真空：10 E-1 pa~10 E2 pa 高真空：10 E-5 pa~10 E-1 pa 溅射室溅射真空度一般为：9.9 E-2~9.9 E-1 pa ｛ * 2、真空系统 PVD泵组分为:罗茨泵、机械泵和分子泵。 ①罗茨泵：在1~100pa有较大抽速，弥补了旋片式机械泵抽速小的缺陷。罗茨泵不能从大气压开始工作，也不能直接将气体排出大气，因此它必须配以前级泵。 ②机械泵：主要室抽大气，抽气体时气压变高，气压还未达到1atm时，部分水蒸汽凝结成液体，混入泵油中的水珠蒸发变成水蒸汽进入泵体，影响抽气效果，真空泵油中混入水珠后，使油性恶化。机械泵油小气孔掺气阀门，在气体未凝结成水之前，将水汽排出。 ③分子泵：分子泵抽高真空，5pa一下才可以开启，大于50pa会烧坏。 * 3、进气系统 PVD进气系统主要有：破空阀，Ar气、氧气门阀。 破空阀将外界空气放入真空腔室内部。 Ar气、氧气门阀主要用来在溅射室通入Ar气、氧气等正常 工艺所需气体。 4、真空测量系统： PVD每个腔室都有一个真空硅，它有一个探针伸入到真空室内，在中真空和高真空状态测量较准确，在低真空状态测量较准确。 5、加热系统： PVD 进片室、隔离室、缓冲室都由碘钨灯或者钢管进行加热的部件，加热主要是工艺需要。 * 6、工件传送系统 PVD 每个腔室都有一个电机，电机的转速由变频器控制1、2、3、8、9、10室是高速传送。4、5、6、7室是低速传送。调整高速度和低速度的参数，可以改变其大小。 7、冷却系统 PVD冷却系统由两种:水冷与风冷；风冷是讲热气流直接通过管道排出去。 ①进出片室与溅射室的大组合泵属于水冷； ②隔离室两个小组合泵属于风冷。 ③靶材冷却时是与总冷却水管独立开来，靶材冷却时需要较低的温度。 * 8、磁控溅射靶： 磁控溅射分为四种： 直流溅射、射频溅射、脉冲溅射、中频溅射。 我们的PVD只用到了中频溅射与直流溅射； ①中频溅射： 中频溅射用的是中频电源； 中频电源用的室两个相位不同、振幅相同、频率相同的电 压； 中频电源 的作用：避免了阴极消失，阴极中毒，提高了 磁控溅射靶的稳定性； 中频靶的原理：它利用孪生靶溅射系统，即将中频交流电 的两输出端，接到闭合磁场非平衡溅射的各自阴极上； * ②直流溅射： 直流溅射用的是直流电源； 直流靶可以分为：银靶、铝靶、镍镉靶； 直流溅射的原理： 直流溅射过程中有一系列物理化学反应：如：二次粒子发 射、阴极溅射、气体的解吸与分解、阴极被加热； a、阴极溅射： 在溅射室中通入的Ar气在高压作用下电离成Ar正离子和电