《微波低噪声晶体管设计》-毕业论文.doc

PAGE PAGE w w 毕业设计论文 微波低噪声晶体管设计 教学单位: 电子信息学院 专业名称: 电子科学与技术（IC设计） 学 号: 学生姓名: 指导教师: 指导单位: 微电子技术系 完成时间: 电子科技大学中山学院教务处制发 ‘ 电子科技大学中山学院毕业设计（论文）任务书 题目名称 微波低噪声晶体管设计 设计（撰写）内容 本次毕业设计的内容和要求： 1、通过阅读文献资料，掌握微波低噪声晶体管的工作原理、基本结构、制造工艺和性能特点。 2、掌握微波低噪声晶体管的设计方法和设计工具。 3、完成性能达到规定指标的微波低噪声晶体管的纵向参数设计、横向参数设计、版图设计和工艺设计。 预期目标 本次毕业设计预期目标，是针对我国在通信系统方面的要求，设计出能达到下列指标的微波低噪声晶体管： 工作频率f = 2GHz， 最大耗散功率PCM = 30mW， 最大工作电流ICmax = 10mA， 电源电压VCC = 6V， 噪声系数NF 2.5dB， 功率增益Kp = 7dB。 成果形式 论文 设计（撰写）地点 电子科技大学中山学院 起止时间 2010 年 12 月 10 日至 2011 年 5 月10 日 指导单位 微电子技术系 指导教师 2010年 12 月 1 日 审核意见 审核签名 年 月 日 电子科技大学中山学院毕业设计（论文）成绩评定表 设计（撰写）过程 评语： 指导教师： 年 月 日 成绩 论文评阅 评语： 评阅教师： 年 月 日 成绩 论文答辩 评语： 答辩组长： 年 月 日 成绩 总分 审核人： 年 月 日 微波低噪声晶体管设计 摘 要 微波低噪声晶体管是通信系统接收端的关键电子器件，广泛应用于雷达、通信、卫星、导弹等领域内，对经济和军事领域的发展都有极其重要的意义。 微波低噪声晶体管其主要参数指标为高的频率特性和低的噪声系数，本文首先对晶体管的频率和噪声等方面的特性进行了理论分析，在此基础上，根据设计指标，进行了微波低噪声晶体管的纵向结构参数、横向结构参数等的计算和选取，并对特征频率、噪声系数、功率增益等主要参数进行了核算，结果为=3.63GHz、=2.45、=6.5dB，验证了该设计基本达到设计要求；在结构方面，采用了具有缓冲基区的结构；在图形方面，采用梳状结构；最后给出亚微米发射区宽度微波低噪声晶体管的工艺流程，并画出了所设计的微波低噪声晶体管的图形。 关键词：微波；低噪声；缓冲基区；梳状结构 The Design of Microwave Low-noise Transistor Abstract The low-noisy microwave transistor is the pivotal device of the sink of communication systems. It is widely applied to radar, communications, satellite, missilery, etc. And it is very importance to the development both of economy and military. The primary parameters of the low-noisy microwave transistor are high-frequency and low-noise. This paper firstly analyzed the transistor’s specialist of frequency, power and noise. On this basis, basing to the index of the design, it chose the parameters of lengthways and transverse structure of the transistor. Then it accounted the primary parameters and the result are:fT =3.63GHz,NF =2.45dB,KP=6.5dB. It validated the design is achieve to the plan re