单粒子诱导的脉冲窄化及电荷共享效应对集成电路敏感面积的影响研究-电子科学与技术专业论文.docx

国防 国防科学技术大学研究生院工学硕士学位论文 国防 国防科学技术大学研究生院工学硕士学位论文 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 目 录 HYPERLINK \l _bookmark0 摘 要 i HYPERLINK \l _bookmark1 Abstract ii HYPERLINK \l _bookmark2 第一章 绪论 1 HYPERLINK \l _bookmark3 1.1 单粒子效应概述 1 HYPERLINK \l _bookmark4 1.1.1 单粒子效应是空间电子系统失效的主要模式 1 HYPERLINK \l _bookmark6 1.1.2 单粒子效应导致的电荷产生 2 HYPERLINK \l _bookmark8 1.1.3 单粒子效应导致的电荷的收集机理 4 HYPERLINK \l _bookmark13 1.2 电荷共享效应产生机理及研究现状 6 HYPERLINK \l _bookmark14 1.2.1 电荷共享效应的研究现状 6 HYPERLINK \l _bookmark17 1.2.2 电荷共享产生机理 8 HYPERLINK \l _bookmark19 1.2.3 电荷共享试验 9 HYPERLINK \l _bookmark21 1.2.4 电荷共享的加固 10 HYPERLINK \l _bookmark25 1.2.5 电荷共享效应与电路敏感面积关系的研究现状 11 HYPERLINK \l _bookmark32 1.2.6 相关研究存在的不足 16 HYPERLINK \l _bookmark33 1.3 本文研究工作 17 HYPERLINK \l _bookmark34 1.4 本文组织结构 18 HYPERLINK \l _bookmark36 第二章 65 纳米 CMOS 器件建模与校准 20 HYPERLINK \l _bookmark37 2.1 模型建立 20 HYPERLINK \l _bookmark38 2.2 器件校准结果 20 HYPERLINK \l _bookmark43 2.3 本章小结 24 HYPERLINK \l _bookmark44 第三章 脉冲窄化及电荷共享效应对组合电路敏感面积的影响研究 26 HYPERLINK \l _bookmark45 3.1 概述 26 HYPERLINK \l _bookmark46 3.2 模拟流程和设置 26 HYPERLINK \l _bookmark52 3.3 模拟结果 29 HYPERLINK \l _bookmark56 3.4 结果分析 30 HYPERLINK \l _bookmark57 3.4.1 脉冲窄化效应和入射粒子 LET 值对晶体管敏感面积的影响 30 HYPERLINK \l _bookmark59 3.4.2 栅隔离技术对敏感面积的减小作用 31 HYPERLINK \l _bookmark63 3.5 本章小结 32 HYPERLINK \l _bookmark64 第四章 脉冲窄化及电荷共享效应对 SRAM 单元敏感面积的影响及加固技术 .. 34 HYPERLINK \l _bookmark65 4.1 概述 34 第 I 页 HYPERLINK \l _bookmark67 4.2 模拟设置 35 HYPERLINK \l _bookmark69 4.3 模拟结果及分析 36 HYPERLINK \l _bookmark74 4.4 栅隔离结构对 SRAM 电路敏感面积的影响 39 HYPERLINK \l _bookmark80 4.5 本章小结 41 HYPERLINK \l _bookmark81 第五章 SOI 工艺下对组合电路敏感面积的研究 42 HYPERLINK \l _bookmark82 5.1 概述 42 HYPERLINK \l _bookmark86 5.2 模拟设置 44 HYPERLINK \l _bookmark90 5.3 模拟结果与分析 45 HYPERLINK \l _bookmark91 5.3.1 SOI 工艺对晶体管敏感面积的影响 45 HYPERLINK \l _bookmark95 5.3.2 入射粒子的能量对晶体管敏感面积的影响 46 HYPERLINK \l _bookmark99 5.3.3 栅隔离技术对晶体管敏感面积的影响 48 HYPERLINK \l _bookmark102 5.4 本章小结 49 HYPERLINK \l _bookmar