半导体清洗专业技术发展.docVIP

分类号 分类号： TN219 密 级： U D C： 编 号： 半导体清洗技术的发展 SEMICONDUCTOR CLEANING TECHNIQUE 学位授予单位及代码：长春理工大学 学科专业名称及代码：物理电子学 研 究 方 向：成像与显示技术 学位级别：硕 士 指 导 教 师：端木庆铎 教授 研 究 生：王大鹏 论文起止时间：2011.03.9—2011.03.28 摘 要 半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历史，随着硅材料的精密化发展，基体表面的亚微米污物足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响，给硅片表面质量提出了越来越苛刻的要求。硅材料表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件性能，清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此，硅片清洗技术成为硅材料加工和半导体工艺研究的一大热点.本文在分析硅片表面污染物基础上，对硅片目前流行的清洗工艺原理作概述，并介绍其必威体育精装版进展。 关键词：多孔硅 电化学腐蚀 硅微通道 孔隙率  A ABSTRACT Silicon as the most extensive material in the micro electronics device is a kind of indirect band gap semiconductor,its band gap is only 1.12ev and the luminous efficiency is very low, so it can not be the device material of visible region and has the limited application in the field of photoelectron. Since Canham found the phenomenon of photoluminescence performance of porous silicon with high efficiency, the study of porous silicon lead to the extreme interest. Porous silicon is the product of the electronchemistry corrosion of single crystal silicon, this paper mainly study the mechanism of n-type silicon electrochemistry and the related theory. On this basis, the formation and application of the silicon micro channel is also studied. Key words: MCP CMP Ultrasonic cleaning silicon microchannel porosity  目 录 目 录 摘 要 ABSTRACT 目 录 TOC \o 1-2 \h \z HYPERLINK \l _Toc497095555 第一章 绪 论 PAGEREF _Toc497095555 \h 1 HYPERLINK \l _Toc497095556 1.1 研究背景 PAGEREF _Toc497095556 \h 1 HYPERLINK \l _Toc497095557 1.2 微通道板及主要特征性能 PAGEREF _Toc497095557 \h 2 HYPERLINK \l _Toc497095558 1.3 本文研究的主要内容 PAGEREF _Toc497095558 \h 5 HYPERLINK \l _Toc497095559 第二章 半导体工艺 PAGEREF _Toc497095559 \h 6 HYPERLINK \l _Toc497095560 2.1 CMP的发展 PAGEREF _Toc497095560 \h 7 HYPERLINK \l _Toc497095561 2.2 微通道板抛光技术 PAGEREF _Toc497095561 \h 8 HYPERLINK