场效应管及其基本放大电路资料讲解.ppt

第3章 场效应管及其基本放大电路;2)工作等效（以P沟道为例）;2）恒流工作（电压控制电流源）;3）截止工作;3)、JFET的主要参数;4）特性曲线：;Sect;? N沟道增强型MOS场效应管结构;当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 ;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? N沟道增强型MOS场效应管特性曲线;? 漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用;Sect;? MOS管衬底的处理;? N沟道耗尽型MOS场效应管结构;? N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理;? N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线;3.3.3各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线;绝缘栅场效应管;场效应管的主要参数;2. 夹断电压UP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGS=UP 时,漏极电流为零。;4. 直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。; ; ;3. 漏极电阻rds;5. 极间电容;3.3、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS）;2）P沟道MOS（Metal Oxidized Semiconductor) ;(1)工作状态示意图;(2) IGFET 工作原理(NMOS);(3) IGFET（E）特性曲线;(4)主要参数：;3）FET的三种工作组态;一. 结型场效应管;2. 结型场效应管的工作原理;②当│VGS│↑时，PN结反偏，形成耗尽层，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ;（2）漏源电压对沟道的控制作用;③当VDS ↑，使VGD=VG S- VDS=VP时，在靠漏极处夹断——预夹断。;（1）输出特性曲线： ID=f（ VDS ）│VGS=常数;(a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲 演示：动画（2-6） 动画（2-7）;4 .场效应管的主要参数;1. 直流偏置电路：保证管子工作在饱和区，输出信号不失真 ;（2）分压式自偏压电路;2. 场效应管的交流小信号模型 ;三. 放大电路;分析： （1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 ;（2）电压放大倍数;（4）输出电阻