基于第一性原理L12Al3Sc点缺陷结构及成键行为.pdf

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基于第一性原理L12Al3Sc点缺陷结构及成键行为

第 23 卷第 8 期 中国有色金属学报  2013 年 8 月  Vol.23 No.8  The Chinese Journal of Nonferrous Metals  Aug. 2013  文章编号:1004­0609(2013)08­2147­09  基于第一性原理 L1 ­Al Sc 点缺陷结构及成键行为的计算 2 3 1  1  1  1  2  2  1  3  3  孙顺平  ,李小平  ,雷卫宁  ,王洪金  ,汪贤才  ,江海锋  ,李仁兴  ,江 勇  ,易丹青  (1.  江苏理工学院 材料工程学院,常州 213001;  2.  池州学院 机械与电子工程系,池州  247000;  3.  中南大学 材料科学与工程学院,长沙 410083)  摘 要:运用第一性原理平面波赝势方法计算金属间化合物 L1­Al Sc 的基本物性,并通过计算点缺陷形成能推 2 3 测  L1 ­Al Sc 点缺陷的主要存在形式,结合电荷密度和态密度的分析揭示  L1­Al Sc  的成键行为。结果表明:  2 3 2 3 L1 ­Al Sc 的晶格常数为4.107 Å,体模量为 86.5 GPa,形成焓为−43.83 kJ/mol。L1­Al Sc 的点缺陷主要为 Al 亚 2 3 2 3 晶格上的 Al 空位和 Sc 反位缺陷。L1­Al Sc 中 Sc 空位与 Al 反位缺陷的形成能较为接近,表明富 Al 合金中 Sc  2 3 空位和 Al 反位缺陷易于共同存在;Sc  反位缺陷的形成能小于 Al 空位的, 表明富 Sc合金的点缺陷为 Sc反位缺陷。  2  L1 ­Al Sc 的成键电荷密度呈纺锤状, 表现出 Sc d­Al p 的轨道杂化效应, 其杂化轨道主要为 Sc dz ­Al pz轨道杂化。 2 3 关键词:L1­Al Sc;点缺陷结构;第一性原理计算;成键行为;杂化 2 3 中图分类号:TG146.2  文献标志码:A  Calculation of point defect struct

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