磁控溅射和热还原退火法制备VO薄膜及其性能.pdf

第 卷第 期 合肥工业大学学报 （自然科学版） ３７ １ Ｖｏｌ．３７Ｎｏ．１ 　 　 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦ ＨＥＦＥＩＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ 年 月 　 　 　 　 　 ２０１４ １ Ｊａｎ．２０１４ 　 　 ： ／ Ｄｏｉ １０．３９６９ ．ｉｓｓｎ．１００３ ５０６０．２０１４．０１．００８ ｊ － 磁控溅射和热还原退火法制备ＶＯ 薄膜及其性能 ２ ， ， ， 张元元 李合琴 胡仁杰 李 辉 　 　 　 　 （ ， ） 合肥工业大学材料科学与工程学院 安徽合肥 ２３０００９ 　 ： ， 摘 要 文章采用直流反应磁控溅射和热还原退火法制备 ＶＯ 薄膜 研究了退火温度与时间对该薄膜相变和 　 ２ 。 （ ）、 （ ）、 、 、 性能的影响 采用原子力显微镜 ＡＦＭ Ｘ射线衍射仪 ＸＲＤ 红外光谱仪 ＬＣＲ精密电桥对薄膜的形貌 结 、 。 ， ， 构组分 光学性能和变温电阻进行了测试与分析 实验结果表明 溅射法制备的 ＶＯ 薄膜主要为 Ｖ Ｏ 相 ２ ２ ５ ／ ， ， 。 经过 氢气热还原退火后 薄膜逐步转变为 相 电阻突变可达到 个数量级 ５００ ℃ １２０ｍｉｎ ＶＯ ２ ２ ： ； ； ； ； 关键词 氧化钒薄膜 磁控溅射 热还原退火法 电阻温度系数 相变 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） Ｏ４８４ Ａ １００３５０６０２０１４０１００３４０４ 　　　 　　　 － － －