《金属、半导体接触的整流效应及分析研究》-毕业论文设计（学术).doc

常州信息职业技术学院 学生毕业设计（论文）报告 系 别： 电子与电气学院 专 业： 微电子技术 班 号： 微电091 学 生 姓 名： 学 生 学 号： 0906093129 设计（论文）题目： 三级cmos运放设计及应用 指 导 教 师： 设 计 地 点： 常州信息职业技术学院 起 迄 日 期： 毕业设计（论文）任务书 专业 微电子技术 班级 微电082 姓名 一、课题名称： 金属、半导体接触的整流效应及分析研究 二、主要技术指标： (1)对半导体的发展及现状进行分析，介绍并解释相关的特点。 （2）介绍了一些金属和半导体的接触理论，包括扩散理论、热电子发射理论等。 （3）通过一系列的计算解释金属、半导体的接触理论，并分析进行研究。 （4）通过前面的解释分析，再通过从半导体内部解释，建立模型，并应用与实践。 （5）概括性的说明金属半导体的接触理论及其实用价值。 三、工作内容和要求： 分析金属半导体接触的接触效应，查找相关文献和材料、并通过自己的分析和判断，对所查找的文献和资料进行筛选，找到符合论文要求的文章或观点、进行充分的计划，规划论文布局、整理相关资料。对金属半导体的整流、扩散、镜像力等理论进行解释和分析、运用。 四、主要参考文献： [1] 刘恩科，朱秉升，罗晋升等. 半导体物理学（第七版），电子工业出版社，P216-230. [2] Chou S Y. Krauss P R , Renstrom PJ. Imprint of sub - 25 rim vias and trenches in polymers. Applied physics letters, 1995,67( 21 )，P109-P120. [3] 沃尔夫.硅半导体工艺数据手册，天津半导体厂译，北京:国防工业出版社，1975， P78-P89. [4] 爱德华?S?杨. 半导体器件物理基础，卢纪译，北京：人民教育出版社，P189-210. 学 生（签名） 年 月 日 指 导 教师（签名） 年 月 日 教研室主任（签名） 年 月 日 系 主 任（签名） 年 月 日 毕业设计（论文）开题报告 设计（论文）题目 金属、半导体接触的整流效应及分析研究 选题的背景和意义： 半导体的应用离不开金属。这不仅是因为任何半导体器件都需要通过金属引出电极，还因为满足一定条件的某些金属—半导体接触也像PN结一样具有单向导电性，但是不像PN结那样附带少子储存积累引起的开关问题，具有很高的实用性。这两类金属半导体接触的特性差异很大，而造成这种差异的根本原因是功函数。这对于以后的发展方向具有很高的实用价值。在今后的生活实践中，对于半导体行业的发展，有着巨大的意义。研究半导体表面物理效应，发展半导体表面理论，探讨半导体与其他的材料接触界面系统的物理性质，用以改善器件的性能，提高器件的稳定性和可靠性，以及指导探索新型的半导体器件都具有十分重要的意义。 课题研究的主要内容： 这里所讨论的整流理论是指阻挡层的整流理论。处于平衡态的阻挡层是没有净电流流过的，因为从半导体进入金属的电子流和从金属进入半导体的电子流大小相等，方向相反，构成动态平衡。本文着重研究了对金属和半导体的整流效应的认识与理解，通过接触的一系列理论，如扩散理论，热电子发射理论等来解释。以及对金属和半导体怎么样来整