FeSiAl磁粉CrMn合金化及其表面处理工艺磁粉芯性能研究.docx

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FeSiAl磁粉CrMn合金化及其表面处理工艺磁粉芯性能研究

分类号: 学校代号: 1l 845 UDC: 密级: 学 号: 211 1202058 广东工业大学硕士学位论文 (工学硕士) F e S iAl磁粉Cr/Mn合金化及其表面处 理工艺和磁粉芯性能研究 赵定武 指导教师姓名、职称: 值垂定 副教握 学科(专业)或领域名称:邀电王堂皇固签电王堂 学生所属学院: 挝挝墨能遮堂医 论文答辩日期: 2Q!§生鱼旦2目 万方数据 删Y 川2舢7删9舢6删2删8 Ⅲ2 A Dissertation Submitted to Guangdong University of Technology for the Degree of Master (Master of Engineering Science) Study on FeSiAl magnetic powder Cr/Mn alloyedsurface treatment processes and properties of the magnetic cores Msc.Candidate:Zhao Dingwu Supervisor:Prof.He Yuding June 2015 School of Materials and Energy Guangdong University of Technology Guangzhou,Guangdong,P.R.China,5 1 0006 万方数据 摘要 摘 要 铁硅铝粉及其磁粉芯具有高饱和磁化强度,低损耗,优良的高频性能及高性价 比,应用前景广阔。本文主要分两部分来研究铁硅铝合金粉及其磁粉芯,一方面采 用市面购买的铁硅铝合金粉作原材料,重点研究磁粉表面绝缘处理工艺;另一方面 用真空电弧熔铸及球磨法自制铁硅铝合金粉,并掺入Cr、Mn。使用扫描电子显微 镜(SEM)观察粉末形貌,X射线衍射仪(XRD)检测粉末的晶体结构、振动样品 磁强计(VSM)测试粉末的饱和磁化强度。采用软磁交流测试仪检测铁硅铝磁粉芯 的损耗,用LCR测试仪测试磁粉芯的电感和品质因数,用软磁直流测试仪测试有效 截面积和有效长度,从而算得磁粉芯的有效磁导率。研究结果表明: l、对购买的铁硅铝粉进行20h、40h、60h的球磨后,发现经40h球磨后的粉 扁平化程度较20h好,粉的粒径也得到充分细化,且团聚现象不明显。经60h球磨 后的粉虽然扁平化程度较大,但出现了大量的团聚片状粉。 2、用双氧水对购买的铁硅铝粉进行氧化。分别选用浓度为10%和30%的双氧 水,结果表明浓度为30%时损耗较小,有效磁导率较小,品质因数较大,饱和磁化 强度较小。采用浓度为30%的双氧水,处理时间分别为3min到5h,功率损耗随时 间的延长而降低,5h时达到57.33 W/kg,有效磁导率随氧化时间的延长而降低,品 质因数随氧化时间延长而升高,饱和磁化强度随反应时间延长而降低,但下降幅度 不大。 3、成型压力对磁粉芯磁性能有影响。当成型压力在1850MPa时,功率损耗最 小,磁粉芯磁导率随成型压力的增大而增大,磁粉芯的品质因数随成型压力的增加 而不断增大。 4、在300℃到900℃的温度下对购买的铁硅铝磁粉进行10min的硼化处理,结 果表明随着温度的升高,磁粉芯损耗基本呈下降趋势,磁粉芯磁导率随着硼化温度 的升高而降低,品质因数基本随着温度的升高而增大,饱和磁化强度随硼化时间的 延长基本呈现下降趋势。在900。C条件下,以不同浓度的硼酸处理,当浓度小于4% 时,功率损耗随浓度升高而降低,当浓度大于4%时,功率损耗随浓度升高而升高, 当硼酸浓度达到4%时,损耗可降低到40.82 W/kg,随着硼酸浓度增加磁导率逐渐 降低,品质因数在浓度为4%时达到最大值56,饱和磁化强度随着浓度的增加而增 万方数据 广东工业大学硕士学位论文 大。随着硼化时间的延长,磁粉芯的功率损耗降低,磁导率减小,品质因数上升, 饱和磁化强度随着硼化时间的延长而呈现降低的趋势。 5、将质量分数分别为0.5%到6%的Cr掺入标准成分的FeSiAI合金中,随着 Cr含量的增加,磁粉芯损耗呈下降趋势,当Cr含量达到6%时,磁粉芯损耗降到 24.38 W/kg。磁导率随Cr含量的增加而降低,磁粉芯的品质因数随着Cr含量的提 高而上升。 6、将质量分数分别为0.5%到2%的Mn掺入标准成分的FeSiAI合金中,结果 表明,随着Mn含量的提高,磁粉芯的损耗先降低后升高,在Mn含量为1.5%时达 到最低35.2 W/kg,磁导率随Mn含量升高而升高,品质因数随Mn含量升高先增大 后减小。 关键词:FeSiAI磁粉芯;双氧水氧化;硼化;掺Cr/Mn;饱和磁化强度:功率 损耗 万方数据 ABSTRACT AB STRACT Sendust powder and

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