InGaNGaN多子阱发光特性的研究.docx

分类号：TN≥l矿驴 分类号：TN≥l矿驴 单位代码：1 0422 密级：彳唧 学 号：M肛7I惕 ，∥ 囊力番 S HANDONG UNIVERS lTY 硕士学位论文 Thesis for Master Degree 论文题目：甄压口^／J压Q^／姆3研篓、勉犄性面两移 印t妇妙办117“七孕伤功 翻厶纽^／k以^／朋“∽广Q Qp幻饥肌wec／喀 作者 名 掘幻 培养 位盘垒曼笸已盈2 专业 称越虹荭为因迸垒立蓝 指导 师篁占毯筮丝． 合作 姓单名教导 师 0·t箩年印月硼日 万方数据 原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下， 原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下， 独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本 论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。 对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方 式标明。本声明的法律责任由本人承担。 论文作者签名：丝纽 Et 期：2皇些垫塑 关于学位论文使用授权的声明 本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定，同意学 校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论 文被查阅和借阅；本人授权山东大学可以将本学位论文的全部或部分 内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存论文和汇编本学位论文。 (必威体育官网网址论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名：狙缸导师签名： 万方数据 山东大学硕士学位论文目 山东大学硕士学位论文 目 录 摘要 I ABSTRACT ．j III 第一章绪论 。1 1．1研究的背景和意义 ．．1 1．2Ⅲ族氮化物的结构和特性 ．2 1．3论文结构和研究内容 ．6 第二章器件的制备与测试 ．．9 2．1衬底材料介绍 ．．9 2．2 LED衬底材料的种类 1 0 2．3 LED外延片介绍 13 2．3．1外延片的概念 ．13 2．3．2LED对外延材料的基本要求 ．14 2．4 LED外延技术介绍 16 2．5半导体中常见的光学过程 19 2．5．1本征吸收 ．19 2．5．2激子吸收 ．21 2．5．3杂质吸收 ．22 2．6实验配置 23 第三章InGaN／GaN多量子阱光致发光特性的研究 27 3．1研究背景和意义 27 3．2 InGaN／GaN多量子阱的结构 27 3．3 InGaN／GaN多量子阱的实验数据与分析 29 3．3．1 InGaN／GaN多量子阱光致发光的温度依赖性 ．29 3．3．2 InGaN／GaN多量子阱光致发光峰位半高宽的温度依赖性 ．30 3．3．3 InGaN／GaN多量子阱光致发光峰位半高宽的功率依赖性 ．31 3．3．4 InGaN／GaN多量子阱内量子效率的功率依赖性 ．33 3．4本章小结 34 万方数据 山东大学硕士学位论文第四章电流、温度和EBL厚度对InGaN／GaN多量子阱LED电致发光的影响 山东大学硕士学位论文 第四章电流、温度和EBL厚度对InGaN／GaN多量子阱LED电致发光的影响 ．．：；7 4．1样品的制备和结构 37 4．2数据与分析 39 4．2．1 I．V曲线 ．39 4．2．2 EL谱峰位半高宽的温度依赖性 39 4．2．3 EL谱峰位半高宽的电流依赖性 40 4．2．4 EBL厚度对InGaN／GaN多量子阱发光特性的影响 42 4．3本章小结 46 第五章总结 ．．47 参考文献 ．．49 致谢 一55 攻读硕士期间发表的学术论文 ．．57 II 万方数据 山东大学硕士学位论文Content 山东大学硕士学位论文 Content ABSTRACT(In Chinese)． ． ． ．． ．． ． ．． ． ． ．． ． ．． ． ． ． I ABSTRACT(In English)． ． ． ． ．．． ． ． ． ．． ．．． ． ． ．． ．． ．．Ill Chapter 1 Introduction ． ． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ． ．．． ． ．．1 1．1 Research background and meaning ． ． ． ．．． ．． ． ． ．． ． ． ． ．1 1．2 The structure and properties oftheⅢnitrides semiconductor materials ．2 1．3 Content Summary ．． ．．6 Chapter 2 The growth and testing o