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;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;(二) 实验内容;(三) 功分器的技术指标;;;;;;;;生成功分器的原理图
在原理图设计窗口中选择微带电路的工具
栏
窗口左侧的工具栏变为右图所示
选择微带线 以及;;;微带线计算工具;;;;;;;;;观察仿真曲线
优化完成后必须关掉优化控件,才能观察仿真的曲线。方
法是点击原理图工具栏中的 按钮,然后点击优化控件
OPTIM,则控件上打了红叉表示已经被关掉。
要想使控件重新开启,只需点击工具栏中的 按钮,然
后点击要开启的控件,则控件上的红叉消失,功能也重新
恢复了。
对于原理图上其他的部件,如果想使其关
闭或开启,也可以采取同样的方法。;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;偶极子天线臂;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;观察天线的2维 E面;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;实验六;;;;;;;;; 上图摘自 Fujitsu 1997 年微波半导体手册第 358 页。PCB 板厚 26 密尔,介电常数 9.7。
在输入和输出端加了隔直流电容。栅、漏偏置扼流圈也已接入。下面我们来仿真该电路的性
能。; 从上图可见小信号增益,输入匹配和输出匹配性能都很好。增益大于 10.0dB,输入和输
出匹配在 1.8GHz 还不算坏,它在更高些的频率(Fujitsu 电路中心频率)有一峰值。预计调
整输出匹配电路匹配 RL,产生最大输出功率时,输出匹配将变差。;器件的输出匹配:
取得封装寄生参数的方法:
*从器件制造商处取得。
*测量封装寄生参量。
*电磁分析(EM)封装模型。
*由器件 S 参数取得。
在准备对产生最大射频输出功率优化输出匹配电路时,必须确定管子的封装寄生元件。因
为它们是总输出匹配网络的一部分。如不能从器件供应商处得到,则须通过测量(非常困难)、
计算(要求全面的 EM 仿真)或从小信号 S 参数提取。现在最直接的方法是提取法,在下
面介绍。;从 小 信 号 S 参数提取封装寄生元件。
使用封装 GaAs MESFET 管设计功率放大器的一个重要考虑,是准确确定封装寄生元件,
因为这些元件是整个输入和输出匹配电路的一部分,影响整个仿真。因为输出匹配电路是与
管子的负载电阻 RL 匹配的,不与包含封装寄生元件的 S 参数匹配,所以设计输出匹配电路
时,这是重点考虑因素。负载线电阻 RL 是输出匹配电路必须呈现给管子的阻抗,但这些寄生
元件使 RL 产生变化。所以它们成为整个输出匹配电路的重要部分。所有成功的设计努力,
都必须考虑这些封装元件的影响。ADS 电路原理图参照 ADS 例题“amodelB_pri under
mw_ckts”。;; 输出匹配电路是在正确的频率上谐振,但匹配情况很临界。这表明匹配电路未合适地调
整到 RL,对于 FLL351ME 管为 11 欧姆。;; 用 ADS 优化器对最佳优化 RL=11.4 欧姆调整输出电路元件值,输出匹配情况大大改善。
反射损耗接近-15dB,表明与 RL 良好匹配。; 下面,在宽频带内,用 ADS 仿真计算放大器的稳定因子。发现放大器在工作频率是无条
件稳定的,但在低频端,降为有条件稳定。这是一个非常常见的结果,因为高功率 MESFET
的跨导非常高,从而导致低频潜在的高增益。就产生了低频稳定性问题,必须通过添加稳定
网络加以纠正。; 现在的放大器带有最佳输出电路和稳定网络,对其增益,输入匹配情况和输出匹配情况进
行最终仿真。可见增益微降(约 0.7dB),输出匹配情况没有前面好。这两点是预期到的,
因为最佳输出电路是对最佳输出功率匹配的,所以输出电路对小信号 S 参数(S22)失配,
引起增益和输出匹配微降。但总得来说,增益和匹配性能还是很好的,并保证 RF 输出功率
最大,且有优良的稳定性。;实验七:VCO的设计;(一)实验目的;(二)实验内容;振荡器三个基本模块;振荡器的物理模型;实际输出谱:;(三)振荡器的技术指标(续);(四)ADS软件的使用;ADS软件的启动;创建新的工程文件;创建新的工程文件(续);创建新的工程文件(续);VCO的设计;VCO的设计(续);管子的选取;振荡器采用的初始电路;偏置电路的设计;选择probe comp
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