金属硫化物半导体薄膜的制备方法 --毕业论文..doc

PAGE 诚信声明 本人郑重声明：所呈交毕业论文，是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已注明引用的内容外，本文不包含任何其他人或集体已经发表过或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律责任，结果由本人承担。 　　　　 　 声明人签字：________________ 2013年 5月 25 日 目 录 TOC \o 1-3 \h \u HYPERLINK \l _Toc22949 第一章 绪论 PAGEREF _Toc22949 1 HYPERLINK \l _Toc26259 1.1 半导体纳米材料的概述 PAGEREF _Toc26259 1 HYPERLINK \l _Toc26299 1.2.1硫化物半导体纳米材料的基本特性 PAGEREF _Toc26299 1 HYPERLINK \l _Toc17373 1.2.2 硫化物半导体的发展概况 PAGEREF _Toc17373 3 HYPERLINK \l _Toc23638 1.2.3 硫化物半导体的制备方法 PAGEREF _Toc23638 4 HYPERLINK \l _Toc26938 1.3 论文的研究目的和意义 PAGEREF _Toc26938 5 HYPERLINK \l _Toc19926 第二章 实验部分 PAGEREF _Toc19926 7 HYPERLINK \l _Toc5022 2.1 实验试剂 PAGEREF _Toc5022 7 HYPERLINK \l _Toc26401 2.2 实验仪器 PAGEREF _Toc26401 8 HYPERLINK \l _Toc16117 2.3 实验方法 PAGEREF _Toc16117 8 HYPERLINK \l _Toc15759 基底的预处理 PAGEREF _Toc15759 8 HYPERLINK \l _Toc30700 APTS SAMs的组装 PAGEREF _Toc30700 8 HYPERLINK \l _Toc3336 In2S3纳米薄膜的制备 PAGEREF _Toc3336 8 HYPERLINK \l _Toc3340 2.4实验表征 PAGEREF _Toc3340 9 HYPERLINK \l _Toc27429 第三章 结果与讨论 PAGEREF _Toc27429 10 HYPERLINK \l _Toc8669 3.1 APTS SAMs 对In2S3纳米薄膜的影响 PAGEREF _Toc8669 10 HYPERLINK \l _Toc2138 3.2 络合剂对In2S3纳米薄膜的影响 PAGEREF _Toc2138 10 HYPERLINK \l _Toc31717 3.3 In2S3纳米薄膜的晶体结构 PAGEREF _Toc31717 12 HYPERLINK \l _Toc6002 3.4 In2S3纳米薄膜的光学性能 PAGEREF _Toc6002 12 HYPERLINK \l _Toc24756 结 论 PAGEREF _Toc24756 14 HYPERLINK \l _Toc30178 参考文献 PAGEREF _Toc30178 15 HYPERLINK \l _Toc21868 致 谢 PAGEREF _Toc21868 17 金属硫化物半导体薄膜的制备方法 —In2S3纳米薄膜的制备及性能研究 专业：高分子材料与工程 姓名：** 指导老师：** 摘 要 本文以In2S3纳米薄膜作为研究对象，采用化学浴沉积法在组装有自组装单分子层的表面制备In2S3纳米薄膜，研究了自组装单分子层和络合剂TEA对In2S3纳米颗粒成膜情况的影响。结果表明：自组装单分子膜对高质量In2S3纳米薄膜的生成非常重要。In2S3纳米颗粒在APTS表面能形成颗粒尺寸均一，表面平整的In2S3纳米薄膜，而在裸露的ITO导电玻璃表面不能形成致密的薄膜；TEA 对生成高质量的In2S3纳米薄膜有很大的影响，当铟源、硫源和TEA为1:3:2时，能生成非常致密的薄膜。同时考察了In2S3纳米颗粒在单分子层表面的成膜机理。 关键词：In2S3， 自组装单分子层，化学浴沉积 ABSTRACT Taking In2S3 as the research object, In2S3 thin films were prepared on the self-assembled