保护电路介绍(基础)..ppt

概要 保护电路基本构成 各元器件简要介绍 保护电路工作原理 保护电路的附加功能 保护电路的必威体育精装版发展 保护电路基本构成 保护电路使用的元件有： 保护IC、场效应管（MOSFET）、贴片电阻、贴片电容、热敏 电阻、识别电阻（或识别IC)、保险丝、PTC等。 元器件简要介绍 元器件简要介绍---贴片电阻 基本参数有：封装尺寸、额定功率、阻值、允许偏差等。 1、封装：表示电阻的尺寸大小，有两种表示方法 （1）EIA（美国电子工业协会）代码：以英寸为单位，用4位数字表 示长和宽，前2位表示长、后2位表示宽； （2）米制代码：以毫米为单位，也是用4位数字表示长和宽； 2、功率：表示通过电流的能力，P=I2*R。 下表为7种电阻尺寸代码及功率 元器件简要介绍---贴片电阻 3、阻值：贴片电阻表面上用三位数字表示阻值 其中第一、二位为有效数字，第三位数字表示倍率—即有效数字*10n，有小数点时用“R”来表示，并占一位有效位数字 如：102表示10×102=1KΩ； 511表示51×101=510Ω； 2R2表示2.2Ω； 4、允许偏差： B档表示±0.1﹪；D档表示±0.5﹪；F档表示±1﹪； J档表示±5﹪； K档表示±10﹪； M档表示±20﹪。 元器件简要介绍---贴片电容 基本参数：封装尺寸、耐压、容值、允许偏差、材质、阻抗等 1、封装尺寸：其尺寸代码与贴片电阻相同。 2、耐压：不同容值、不同封装、不同偏差的电容厂家能做到的耐压 值也不相同。一般容值越低，耐压值越高；封装尺寸越大耐压值也越高；偏差越大耐压值越高。 3、容值：容值表示方法与电阻类似 如：104表示10×104pF=100000pF=0.1uF， 2R2表示2.2pF； 注：容值单位是pF，其中1pF=10-3nF =10-6uF=10-12F 4、允许偏差：允许偏差表示方法也与电阻类似 F档表示±1﹪； J档表示±5﹪； K档表示±10﹪； M档表示±20﹪； N档表示±30﹪；Z档表示+80,-20﹪。 5、材质：COG(NPO)容值精度为5﹪； X5R(X7R)容值精度为10﹪； Y5V容值精度为20﹪；Z5U容值精度为+80,-20﹪； 元器件简要介绍---热敏电阻 有PTC(POSITIVE TEMPERATURE COEFFICENT)正温度系数，如过流保护器； NTC(NEGATIVE TEMPERATURE COEFFICENT)负温度系数两种。 ★NTC基本参数有封装尺寸、阻值、允许偏差，B常数、B值偏差等。 NTC阻值随温度呈非线性变化，NTC热敏电阻的阻值随温度的变化函数如下式：R25C是热敏电阻在室温下的阻值，β是热敏电阻材料的开尔文(Kelvins)常数，T是热敏电阻的实际摄氏温度。 元器件简要介绍---保险丝 元器件简要介绍---场效应管 一、概述：场效应管是电压控制器件，缩写为FET ，可通过改变输入电压来改变输入电流。 元器件简要介绍---场效应管 说明： 1、场效应管与三极管的区别： 场效应管：电压控制器件，内阻小，耗电小，电流可双向流动 三极管：电流控制器件，内阻较大，耗电很大，电流不可双向流动。 2、N沟道场效应管与P沟道场效应管相比：N沟道高电平导通，内阻较小，价格较低；P沟道低电平导通，内阻较大，价格较高。 3、内阻：指场效应管导通时不同电压、电流下D、S间的内阻，电压越高时，内阻越低；电流越大，内阻越高。 4、保护电路中，单双节保护电路用N沟道场效应管，多节用P沟道。 5、目前常用N沟道场效应管： FW232、uPA1870、FDW2509NZ uPA2450、uPA2452、ECH8601 例如：uPA1870基本参数为 内部 VDSS=20V, VGSS=±12V, 结构图 ID(DC) =±6A、 ID(pulse) =±80A RDS(on）=13-21mΩ (VGSS=4V, ID =3A) 元器件简要介绍---保护IC 元器件简要介绍---保护IC 2、基本参数：略 3、封装（尺寸）： SOT-23-6 SON6 S