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《LED制造技术与应用》 阶段考试（一） 填空题（每空1分，共23分） 1、590nm波长的光是 黄 光（填颜色）；380nm波长的光是 紫 光（填颜色）,可见光的波长范围是 380－780 nm。 2、目前市场主流的白光LED产品是由 InGaN(蓝光) 芯片产生的 蓝 光与其激发 YAG 荧光粉产生的 黄 光混合而成的，且该方面的专利技术主要掌握在日本日亚化学公司手中。 3、色温越偏蓝，色温越 高（冷） ，偏红则色温越 低（暖） 。 4、对于GaAs,SiC导电衬底，具有面电极的 红、黄（单电极或L型） LED芯片，采用 银胶 来固晶；对于蓝宝石绝缘衬底的 蓝、绿（双电极或V型）LED 芯片，采用 绝缘胶 来固定芯片。 6、银胶的性能和作用主要体现在： 固定芯片 、 导电性 、 导热性 。 7、翻译以下行业术语： 示例：外延片 Wafer 发光二极管 Light emitting diode 芯片 chip 荧光粉 phosphor 直插式LED LED Lamp 8、若已知外延材料的禁带宽度(符号：Eg，单位：eV)，则该外延片制作的LED发光波长与禁带宽度的关系通常可表示为：nm 9、金丝球焊机在操作过程中，四要素是：时间 、 功率 、 压力 、 温度 。 判断题（对的打“√”，错的打“×”，16分，每小题2分） 1、现有YAG黄色荧光粉，分别采用波长为460nm和470nm的蓝光LED芯片激发，则470nm一定比460nm激发的效率高。 （×） 2、在CIE图中，x代表蓝色，y代表绿色，z代表红色，且x＋y＋z＝1。 （×） 3、发光强度大于100mcd的LED，称之为超高亮度的LED。 （√） 4、对于InGaAlP材料，可选取合适的Al－Ga组分配比，以便在黄绿色到深红色的光谱范围内调整LED的波长。 （√） 5、LED芯片一般采用蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）、碳化硅（SiC）等半导体材料，其中SiC可作为V型接触的芯片衬底。 （×） 6、1W的LED称之为中功率LED，大于3W的称之为大功率LED。 （×） 7、红光单电极LED芯片可以采用银胶固晶，也可以采用绝缘胶固晶，不过一般采用银胶固晶。 （×） 8、经过测试得到样品A的光通量比样品B的光通量高，则样品A的发光强度比样品B的发光强度高。 （×） 简答题 简述：（1）LED是半导体PN结发光器件，试述其发光机理；（5分） （2）白光LED的发光原理。（5分） （3）白光LED的实现方法。（6分，至少写3种） 答： LED是半导体PN结发光器件，其发光机理是： 在施加正向电压的情况下，PN结N区自由电子向P区运动，而P区的空穴则向N区运动，在有源层内电子由导带跃迁到价带与空穴复合，产生光子，即电能转化成了光能。 （2） 白光LED的发光原理是根据红光＋绿光＋蓝光＝白光的三基色原理，由于绿光和红光混合呈黄光，所以一般采取蓝光及其补色黄光混合成白光。 （3） 白光LED的实现方法有： 方法 发光机理 芯片数 1 InGaN蓝光芯片＋YAG：Ce3+的黄色荧光粉 → 白光 1 2 InGaN蓝光芯片＋RGY荧光粉 → 白光 1 3 InGaN（近）紫外光芯片＋RGB三基色荧光粉 → 白光 1 4 薄膜层（ZnSe）的蓝光＋基板上被激发的黄光 → 白光 1 5 白光LED芯片直接发白光 1 6 InGaN蓝光芯片＋GaP黄绿光芯片（互补）→ 白光 2 7 InGaN蓝光芯片＋InGaN绿光芯片＋AlInGaP红光芯片 → 白光 3 8 多种光（InGaN、GaP、 AlInGaP）的芯片封装在一起 → 白光 ＞3 2、LED产业链可分为上游（外延）、中游（芯片）、下游（封装）、应用（LED路灯、LED灯具等），试述对不同产业段的认识（从技术、产品和用途等角度）。（5分） 答： LED产业链分为上游（外延）、中游（芯片）、下游（封装）、应用（LED路灯、LED灯具等），对不同的产业段主要认