半导体器件的基础知识..ppt

第一章　半导体器件的基础知识 1.1　半导体二极管 1.1.2　PN 结 1.1.3　半导体二极管 1.2　半导体三极管 1.2.2　三极管的电流放大作用 1.2.3　三极管的基本连接方式 1.2.4　三极管的特性曲线 1.2.5　三极管的简易测试 1.2.6　片状三极管 1.3　场效晶体管 1.3.1　结型场效晶体管 1.3.2　绝缘栅场效晶体管 1.3.3　MOSFET 和三极管的比较 本章小结 　　② 若为 NPN 型三极管，将黑红表笔分别接另两个引脚，用手指捏住基极和假设的集电极，观察表针摆动。再将假设的集电极和发射极互换，按上述方法重测。比较两次表针摆幅，摆幅较大的一次黑表笔所接的管脚为集电极，红表笔所接的管脚为发射极。 　　③ 若为 PNP 型三极管，只要将红表笔和黑表笔对换再按上述方法测试即可。 1.2　半导体三极管 　　2．判断三极管的好坏 　　（1）万用表置于“R ? 1 k ”挡或 “R ? 100”挡位。 　　（2）方法：分别测量三极管集电结与发射结的正向电阻和反向电阻，只要有一个 PN 结的正、反向电阻异常，就可判断三极管已坏。 1.2　半导体三极管 　　3．判断三极管 ? 的大小 　　将两个 NPN 管接入判断三极管 C 脚和 E 脚的测试电路，如图所示，万用表显示阻值小的管子的 ? 值大。 　　4．判断三极管 ICEO 的大小 　　以 NPN 型为例，用万用表测试 C、E 间的阻值，阻值越大，表示 ICEO 越小。 1.2　半导体三极管 　　1．片状三极管的封装 　　小功率三极管：额定功率在 100 mW ~ 200 mW 的小功率三极管，一般采用 SOT-23形式封装。如图所示。 　　1 — 基极，2 — 发射极，3 — 集电极。 1.2　半导体三极管 　　大功率三极管：额定功率在 1 W ~ 1.5 W 的大功率三极管，一般采用 SOT-89 形式封装 。 　　1—基极，3—发射极，2、4（内部连接在一起）—集电极。 1.2　半导体三极管 　　在三极管的管芯内加入一只或两只偏置电阻的片状三极管称带阻片状三极管。 　　2．带阻片状三极管 1.2　半导体三极管 　　带阻片状三极管型号及极性。 表 1-2　部分带阻片状三极管型号和极性 R1=22 k? N DTC124T 6.8 k?/6.8 k? N DTC363E R1=10 k? N DTC114T 4.7 k?/10 k? N DTC143X 47 k?/22 k? N DTC114WK 4.7 k?/22 k? P DTA143X 47 k?/47 k? N DTC114 2.2 k?/2.2 k? P DTA123Y 22 k?/22 k? N DTC124E 100 k?/100 k? P DTA114E 10 k?/10 k? N DTC114E 10 k?/47 k? P DTA114Y R1/R2 极性 型号 R1/R2 极性 型号 1.2　半导体三极管 　　3．复合双三极管 　　在一个封装内包含两只三极管的新型器件。 1.2　半导体三极管 　　常见外型封装形式如图所示。 　　UM—6 　　SOT—25 　　SOT—36 　　半导体三极管是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为电流控制型器件。 　　场效晶体管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件，称为电压控制器件。 　　根据结构和工作原理不同，场效晶体管可分为 { 　　结型 （JFET） 　　绝缘栅型 （MOSFET） 　　1．符号和分类 　　结型场效晶体管的电路符号和外形如图所示。 　　三个电极：漏极（D），源极（S）和栅极（G），D 和 S 可交换使用，电路符号和外形如图所示。。 　　结型场效晶体管可分为 P 沟道和 N 沟道两种，在电路符号中用箭头加以区别。 1.3　场效晶体管 　　2．电压放大作用 　　场效晶体管的放大电路如图所示。 　　场效晶体管共源极电路中，漏极电流受栅源电压控制。 　　场效晶体管是电压控制器件，具有电压放大作用。 1.3　场效晶体管 　　栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管（MOSFET）。 　　输入电阻很大，在 1012 ? 以上。 　　它也有 N 沟道和 P 沟道两大类，每一类中又分为增强型和耗尽型两种。 1.3　场效晶体管 　　1．电路符号和分类 　　① N 沟道—箭头指向内。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，N 沟道称 NMOS 管。 　　② P 沟道—箭头指向外。沟道用虚线为增强型，用实线为耗尽型，P 沟道称 PMOS 管。 1.3　场效晶体管 　　四种场效晶体管的电路符号如图所示。 　　P 沟道增强型 　　N 沟道耗尽型 　　P 沟道耗尽型 　　N 沟道增强型 　　2．结构