半导体器件物理第三章PN结作业..ppt

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2019-01-03 发布于湖北
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半导体器件物理第三章PN结作业..ppt

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第三章作业题第二章作业答案超量载流子注入一厚度为W的薄n型硅晶的一个表面上，并于另一个表面上取出，而其pn(W)=pno,在0xW的区域里没有电场。 * 2.硅突变结二极管的掺杂浓度为ND=1015cm-3， NA＝4×1020cm-3，在室温下计算：（1）内建电势差；（2）零偏压时的耗尽区宽度;(3)零偏压下的最大内建电场。 1.推导PN结空间电荷区内建电势差公式： 3.推导加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式： 4.推导杂质分布公式： 5.长PN结二极管处于反偏压状态，求解下列问题：（1）解扩散方程求少子分布np（x）和pn（x），并画出他们的分布示意图。（2）计算扩散区内少子存储电荷。 6.把一个硅二极管用做变容二极管，在结的两边的掺杂浓度分别为ND=1015cm-3， NA＝1019cm-3，求在反偏电压为1V和5V时的二极管势垒电容（忽略二极管截面积的影响）。 7.一理想硅p-n结二极管，NA=1016cm-3， ND=1018cm-3，?p0= ?n0= 10-6 s，ni=9.65×109cm-3， Dn=30 cm2/s， Dp=2 cm2/s，器件面积为2×10-4 cm2，计算室温下饱和电流的理论值及±0.7V时的正向和反向电流值。 8.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结空间电荷区的形成。 9.采用载流子扩散与漂移的观点分析PN结的单向导电性。 n *