电子科技大学半导体物理学课件——半导体中载流子统计分布.pdfVIP

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2019-01-17 发布于浙江
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电子科技大学半导体物理学课件——半导体中载流子统计分布.pdf

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热平衡第三章半导体中载流子的统计分布激发产生载流子载流子复合( 电子-空穴对消失) E 本章重点： cE D E 3.1 费米能级和载流子的统计分布 EA A E 3.2 本征半导体的载流子浓度 v 3.3 杂质半导体的载流子浓度热平衡时，载流子的产生与复合速度相等，载流子浓度一定。允许的量子态按电子在允许的量 3.1 状态密度子态的分布随温能量的分布随温度变化度变化状态密度：表示能带中能量E 附近单位能量间隔载流子浓度随温度变化内量子态数： dZ g (E ) 半导体的导电性能强烈依赖温度 dE 1. k 空间量子态的分布 2. 状态密度对边长为L 的晶体，波矢取分立的值：等能面是球面，极值在k=0的导带低附近： 2 2 h k n kx ＝ x (nx 0, ±1，±2，⋅⋅⋅⋅) kz E (k ) Ec + * (1) dk L 2m n n ky ＝ y (ny 0, ±1，±2，⋅⋅⋅⋅) 在E 到E＋dE 球壳