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一、填空题（30分=1分*30）10题/章 晶圆制备 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。 单晶硅生长常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭 ）。 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ 单晶生长 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。 CZ直拉法生长单晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）变为（ 有正确晶向的 ）并且（ 被掺杂成p型或n型 ）的固体硅锭。 CZ直拉法的目的是（ 实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中 ）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（ 拉伸速率 ）和（ 晶体旋转速率 ）。 晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。 制备半导体级硅的过程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生长硅单晶 ）；3（ 提纯）。 氧化 二氧化硅按结构可分为（ 结晶型 ）和（ 非结晶型 ）或（不定型 ）。 热氧化工艺的基本设备有三种：（ 卧式炉 ）、（ 立式炉 ）和（ 快速热处理炉 ）。 根据氧化剂的不同，热氧化可分为（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（ 工艺腔 ）、（ 硅片传输系统 ）、气体分配系统、尾气系统和（ 温控系统 ）。 选择性氧化常见的有（ 局部氧化 ）和（ 浅槽隔离 ），其英语缩略语分别为LOCOS和（ STI ）。 列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（ 掺杂阻挡 ）、（ 表面钝化 ）、场氧化层和（ 金属层间介质 ）。 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（ 氧化 ）、（ 扩散 ）、（ ）、退火和合金。 硅片上的氧化物主要通过（ 热生长 ）和（ 淀积 ）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（ 薄膜 ）。 热氧化的目标是按照（ ）要求生长（ ）、（ ）的二氧化硅薄膜。 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（ 石英工艺腔 ）、（ 加热器 ）和（ 石英舟 ）组成。 淀积 目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（ 等离子体增强化学气相淀积 ）、（ 低压化学气相淀积 ）、高密度等离子体化学气相淀积、和（ 常压化学气相淀积 ）。 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（ 相同 ），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ 同质外延 ）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（ 异质外延 ）。 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（ 膜应力 ）、（ 电短路 ）或者在器件中产生不希望的（ 诱生电荷 ）。 深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（ ）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（ ）和（ ）。 化学气相淀积是通过（ 气体混合 ）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜 ）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（ 加热 ）来向反应系统提供附加的能量。 化学气相淀积的基本方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。 在半导体产业界第一种类型的CVD是（APCVD ），其发生在（质量运输控制 ）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（不可能有足够 ）的气体分子供发生反应。 HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（ 离子诱导淀积 ）、（ 溅射刻蚀 ）、（ 再次淀积 ）、热中性CVD和反射。 金属化 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（ ）、（ ）和（ ）。 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放