半导体 PN二极管..doc

PN结在一块单晶半导体中，一部分掺有受主杂质是?P型半导体，另一部分掺有施主杂质是N型半导体时，P型半导体和?N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。 基本特性?　在?P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的。N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区（图1）。P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散，达到平衡。 肖特基 HYPERLINK /view/1016.htm \t _blank 二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型 HYPERLINK /view/19928.htm \t _blank 半导体与N型半导体接触形成PN结 HYPERLINK /view/437790.htm \t _blank 原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种 HYPERLINK /view/1307567.htm \t _blank 热载流子二极管。 ? HYPERLINK /albums/178051/178051/0/0.html \l . \t _blank 查看精彩图册 目录 HYPERLINK /view/178051.htm \l 1 简介 HYPERLINK /view/178051.htm \l 2 原理 HYPERLINK /view/178051.htm \l 3 优点 HYPERLINK /view/178051.htm \l 4 缺点 HYPERLINK /view/178051.htm \l 5 结构 HYPERLINK /view/178051.htm \l 6 封装 HYPERLINK /view/178051.htm \l 7 特点 展开 HYPERLINK /view/178051.htm \l 1 简介 HYPERLINK /view/178051.htm \l 2 原理 HYPERLINK /view/178051.htm \l 3 优点 HYPERLINK /view/178051.htm \l 4 缺点 HYPERLINK /view/178051.htm \l 5 结构 HYPERLINK /view/178051.htm \l 6 封装 HYPERLINK /view/178051.htm \l 7 特点 展开 HYPERLINK /view/178051.htm 编辑本段简介 　　肖特基 HYPERLINK /view/1016.htm \t _blank 二极管是以其发明人华特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管 　　 HYPERLINK /albums/178051/178051/0/0.html \l 0$6a22e824b70f5b0f8744f989 \o 查看图片 \t _blank 肖特基二极管结构原理图 （Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型 HYPERLINK /view/19928.htm \t _blank 半导体与N型半导体接触形成PN结 HYPERLINK /view/437790.htm \t _blank 原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种 HYPERLINK /view/1307567.htm \t _blank 热载流子二极管。 　　肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大 HYPERLINK /view/10897.htm \t _blank 电流、超高速半导体器件。其 HYPERLINK /view/3446657.htm \t _blank 反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是 HYPERLINK /view/603510.htm \t _blank 快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基 HY